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三极管场发射阵列的设计与制作

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-19页
   ·引言第9页
   ·场发射技术的发展历史与现状第9-11页
   ·场发射阴极阵列的分类第11-13页
   ·场致发射特点及应用第13-17页
   ·本课题研究的内容第17-19页
第二章 场发射理论第19-27页
   ·场致发射原理第19-24页
   ·场发射理论的精确性第24-25页
   ·微尖发射体参数与场发射的关系第25-27页
第三章 尖锥型场发射三极管阵列的制备工艺比较第27-34页
   ·SPINDT 型金属微尖阵列制备工艺第27-29页
   ·硅微尖锥阵列制作工艺第29-31页
   ·鸟嘴栅孔型金属微尖场发射阵列工艺第31-33页
   ·本章小结第33-34页
第四章 三极管场发射阴极阵列制作第34-59页
   ·硅片的选择与清洗第34-36页
   ·光刻过程与图形化第36-38页
   ·氧化模型与参数控制第38-43页
   ·空腔的刻蚀参数研究第43-45页
   ·尖锥阵列的制作第45-56页
   ·六硼化镧薄膜的蒸发第56-59页
第五章 结构优化与软件模拟第59-65页
   ·锥尖曲率半径对发射性能的影响第59页
   ·栅极电压对发射性能的影响第59-60页
   ·栅极孔径对发射性能的影响第60-61页
   ·两种三极管结构的模拟结果比较第61-64页
   ·本章小结第64-65页
第六章 阴极阵列的测试第65-69页
   ·测试装置的设计制作第65-67页
   ·测试结果及分析第67-69页
第七章 结论与展望第69-71页
   ·本论文的总结第69-70页
   ·工作展望第70-71页
致谢第71-72页
参考文献第72-76页
个人简历第76页
硕士研究生期间发表的论文第76-77页

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