BaX（X=S，Se，Te）的电子结构计算
| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第一章 引论 | 第12-17页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·BaX（X=S，Se，Te）的研究现状 | 第13-14页 |
| ·关于本文 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-17页 |
| 第二章 电子结构理论和计算方法 | 第17-35页 |
| ·电子体系的多体理论 | 第17-19页 |
| ·密度泛函理论 | 第19-26页 |
| ·Hohenherg-Kohn 定理 | 第21-22页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第22-26页 |
| ·交换关联近似 | 第26-31页 |
| ·局域密度近似（LDA） | 第27-28页 |
| ·广义梯度近似（GGA） | 第28-29页 |
| ·GW 近似（GWA） | 第29-31页 |
| ·计算程序包 | 第31-32页 |
| ·Paratec、xiO、sigma 程序包 | 第31-32页 |
| ·计算流程图 | 第32页 |
| 参考文献 | 第32-35页 |
| 第三章 半导体的电子结构及其研究现状 | 第35-42页 |
| ·IV 族、III-V 族化合物半导体的电子结构 | 第35-37页 |
| ·II-VI 族化合物半导体的电子结构 | 第37-38页 |
| ·半导体电子结构的研究现状 | 第38-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 第四章 Ba-VIB 族化合物半导体电子结构计算 | 第42-62页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·计算参数 | 第42-47页 |
| ·布里渊区中k 点的选择 | 第42-44页 |
| ·电子价态和赝势的选取 | 第44-46页 |
| ·晶格常数 | 第46-47页 |
| ·Ba-VIB 族化合物的能带结构 | 第47-57页 |
| ·BaS 的能带结构 | 第47-51页 |
| ·BaSe 的能带结构 | 第51-54页 |
| ·BaTe 的能带结构 | 第54-57页 |
| ·结果分析与小结 | 第57-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 附件：硕士期间发表和完成的文章 | 第65页 |
