| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-17页 |
| ·半导体激光器的发展概论 | 第8-10页 |
| ·半导体激光器发展现状与趋势 | 第10-13页 |
| ·大功率半导体激光器的研究与应用 | 第13-17页 |
| 第二章 大功率半导体激光器基本理论 | 第17-38页 |
| ·单管量子阱基本理论 | 第17-23页 |
| ·量子阱中的限制态 | 第18-22页 |
| ·在量子阱中的态密度 | 第22-23页 |
| ·1450nm半导体激光器的量子阱结构的设计 | 第23-29页 |
| ·GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计 | 第24-26页 |
| ·计算结果及讨论 | 第26-29页 |
| ·大功率半导体激光器阵列热理论 | 第29-36页 |
| ·热源产生原因 | 第29-32页 |
| ·大功率激光器阵列的热功率 | 第32页 |
| ·热传导 | 第32-33页 |
| ·大功率激光器阵列的热阻 | 第33页 |
| ·大功率激光器阵列的温度特性 | 第33-36页 |
| ·大功率激光器阵列条(bar)的优化设计 | 第36-38页 |
| 第三章 1450nm大功率半导体激光器阵列设计 | 第38-49页 |
| ·1450nm大功率半导体激光器阵列条 | 第38-39页 |
| ·热沉材料的优化选取 | 第39-41页 |
| ·新型无源热沉冷却大功率半导体激光器阵列设计 | 第41-42页 |
| ·系统热阻的理论计算 | 第42-45页 |
| ·系统热传导 | 第42-44页 |
| ·系统热阻 | 第44-45页 |
| ·阵列封装 | 第45-49页 |
| ·激光器阵列条的烧结 | 第45-46页 |
| ·激光器列阵的封装结构 | 第46-47页 |
| ·1450nm半导体激光器的封装 | 第47-49页 |
| 第四章 1450nm大功率半导体激光器工艺设计与分析 | 第49-55页 |
| ·工艺流程与要求 | 第49-50页 |
| ·工艺流程 | 第49页 |
| ·工艺要求 | 第49-50页 |
| ·关键工艺 | 第50-55页 |
| ·外延生长 | 第50-51页 |
| ·衬底的制备和选取 | 第51-52页 |
| ·SiO_2掩膜制备 | 第52页 |
| ·光刻和腐蚀 | 第52页 |
| ·低阻欧姆接触工艺 | 第52-53页 |
| ·腔面镀膜技术 | 第53-54页 |
| ·烧焊 | 第54-55页 |
| 第五章 可靠性分析 | 第55-57页 |
| ·半导体激光器退化原因 | 第55-56页 |
| ·半导体激光器可靠性要求 | 第56-57页 |
| 第六章 主要性能参数和特性曲线 | 第57-59页 |
| 结束语 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 致谢 | 第63页 |