CMOS全差分低噪声运算放大器的研究与设计
| 前言 | 第1-13页 |
| 第一章 运算放大器的原理与应用 | 第13-21页 |
| 1．1 运算放大器的原理 | 第13-15页 |
| 1．1．1 理想运放 | 第13-14页 |
| 1．1．2 实际运放 | 第14-15页 |
| 1．2 全差分运放 | 第15-17页 |
| 1．3 运放的基本应用 | 第17-19页 |
| 1．4 低噪声运放的应用 | 第19-21页 |
| 第二章 MOS器件工作原理 | 第21-32页 |
| 2．1 MOS器件基础 | 第21-22页 |
| 2．2 MOSFET的闭值电压 | 第22-23页 |
| 2．3 MOSFET的工作区域 | 第23-27页 |
| 2．3．1 线性区 | 第23-24页 |
| 2．3．2 饱和区 | 第24-27页 |
| 2．4 二级效应 | 第27-30页 |
| 2．4．1 体效应 | 第27-28页 |
| 2．4．2 沟道长度调制效应 | 第28-29页 |
| 2．4．3 亚阈值效应 | 第29-30页 |
| 2．5 MOS管的小信号模型 | 第30-32页 |
| 第三章 CMOS单级放大器 | 第32-38页 |
| 3．1 反相器 | 第32-34页 |
| 3．1．1 有源负载反相器 | 第32-33页 |
| 3．1．2 电流源负载反相器 | 第33-34页 |
| 3．2 差分放大器 | 第34-36页 |
| 3．2．1 共模输入范围 | 第34-35页 |
| 3．2．2 差分放大器的增益 | 第35-36页 |
| 3．3 共源共栅放大器 | 第36-38页 |
| 第四章 电路噪声 | 第38-41页 |
| 4．1 噪声幅值分布 | 第38页 |
| 4．2 系统对噪声的影响 | 第38-39页 |
| 4．3 器件噪声 | 第39-41页 |
| 4．3．1 电阻的热噪声 | 第39页 |
| 4．3．2 MOS管的沟道热噪声 | 第39-40页 |
| 4．3．3 MOS管闪烁噪声 | 第40-41页 |
| 第五章 全差分低噪声运算放大器的设计 | 第41-55页 |
| 5．1 低噪声运算放大器的结构设计 | 第41-45页 |
| 5．1．1 低噪声运算放大器的整体结构 | 第41-42页 |
| 5．1．2 主电路的设计 | 第42-43页 |
| 5．1．3 共模反馈电路的设计 | 第43-45页 |
| 5．2 运放主要参数的仿真分析 | 第45-55页 |
| 5．2．1 运放的开环增益的仿真与分析 | 第45-46页 |
| 5．2．2 运放频率补偿的仿真与分析 | 第46-49页 |
| 5．2．3 运放电源纹波抑制比的仿真与分析 | 第49页 |
| 5．2．4 运放噪声的仿真与分析 | 第49-51页 |
| 5．2．5 运放线性度的仿真与分析 | 第51-52页 |
| 5．2．6 运放速度的仿真与分析 | 第52-53页 |
| 5．2．7 运放的温度特性 | 第53-55页 |
| 结束语 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
