首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--光电子技术、激光技术论文--红外技术及仪器论文--红外光学材料论文

TEA-CO2脉冲强激光对Hg0.8Cd0.2Te晶片的破坏研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-10页
1 绪论第10-21页
   ·激光与材料作用的过程与机理第10-11页
   ·激光对材料的破坏效应第11-12页
   ·强激光对材料作用的影响因素分析第12-17页
   ·激光破坏HGCDTE 材料的国内外研究状况第17-19页
   ·本科题研究的目的和内容第19-21页
2 TEA-CO_2强激光辐照HG_(0.8)CD_(0.2)TE 材料的破坏机理研究第21-39页
   ·实验方法与设备第21-24页
   ·激光对HGCDTE 晶片破坏的机理分析第24-25页
   ·热应力破坏第25-29页
   ·蒸发波压力第29-32页
   ·爆轰波压力第32-34页
   ·结果与讨论第34-38页
   ·本章小结第38-39页
3 TEA-CO_2强激光破坏HG_(0.8)CD_(0.2)TE 材料的有限元数值模拟第39-58页
   ·有限元分析参数的处理第39-42页
   ·ANSYS 分析的方法和模型第42-43页
   ·1~#激光脉冲的有限元分析第43-48页
   ·5~#激光脉冲的有限元分析第48-52页
   ·6~#激光脉冲的有限元分析第52-56页
   ·结果分析第56-57页
   ·本章小结第57-58页
4 TEA-CO_2强激光脉冲对HG_(0.8)CD_(0.2)TE 晶片的熔化效应研究第58-67页
   ·小尺寸光斑激光脉冲的熔化效应第59-64页
   ·大尺寸光斑激光脉冲的熔化效应第64-66页
   ·本章小结第66-67页
5 脉冲强激光破坏HG_(0.8)CD_(0.2)TE 晶片材料的微观结构分析第67-83页
   ·晶片表面裂缝的产生及分布第67-73页
   ·晶片表面裂缝的扩展和止裂第73-75页
   ·晶片表面裂缝产生的时间第75-78页
   ·晶片表面网状龟裂产生的原因第78-80页
   ·晶片表面散布的小点产生的原因第80-81页
   ·本章小结第81-83页
6 脉冲强激光对HG_(0.8)CD_(0.2)TE 材料表面成分的的影响第83-91页
   ·实验结果第83-88页
   ·结果分析第88-90页
   ·本章小结第90-91页
7 脉冲波形和作用次数对HG_(0.8)CD_(0.2)TE 晶片破坏的影响第91-100页
   ·实验结果第91-96页
   ·结果分析第96-98页
   ·本章小结第98-100页
8 总结第100-103页
   ·全文总结第100-102页
   ·论文的主要创新点第102页
   ·未来工作的展望第102-103页
致谢第103-104页
参考文献第104-116页
附录1 攻读学位期间发表论文目录第116页

论文共116页,点击 下载论文
上一篇:艺术生成于存在--马克思和海德格尔艺术哲学比较研究
下一篇:张岱年哲学思想研究