摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-10页 |
1 绪论 | 第10-21页 |
·激光与材料作用的过程与机理 | 第10-11页 |
·激光对材料的破坏效应 | 第11-12页 |
·强激光对材料作用的影响因素分析 | 第12-17页 |
·激光破坏HGCDTE 材料的国内外研究状况 | 第17-19页 |
·本科题研究的目的和内容 | 第19-21页 |
2 TEA-CO_2强激光辐照HG_(0.8)CD_(0.2)TE 材料的破坏机理研究 | 第21-39页 |
·实验方法与设备 | 第21-24页 |
·激光对HGCDTE 晶片破坏的机理分析 | 第24-25页 |
·热应力破坏 | 第25-29页 |
·蒸发波压力 | 第29-32页 |
·爆轰波压力 | 第32-34页 |
·结果与讨论 | 第34-38页 |
·本章小结 | 第38-39页 |
3 TEA-CO_2强激光破坏HG_(0.8)CD_(0.2)TE 材料的有限元数值模拟 | 第39-58页 |
·有限元分析参数的处理 | 第39-42页 |
·ANSYS 分析的方法和模型 | 第42-43页 |
·1~#激光脉冲的有限元分析 | 第43-48页 |
·5~#激光脉冲的有限元分析 | 第48-52页 |
·6~#激光脉冲的有限元分析 | 第52-56页 |
·结果分析 | 第56-57页 |
·本章小结 | 第57-58页 |
4 TEA-CO_2强激光脉冲对HG_(0.8)CD_(0.2)TE 晶片的熔化效应研究 | 第58-67页 |
·小尺寸光斑激光脉冲的熔化效应 | 第59-64页 |
·大尺寸光斑激光脉冲的熔化效应 | 第64-66页 |
·本章小结 | 第66-67页 |
5 脉冲强激光破坏HG_(0.8)CD_(0.2)TE 晶片材料的微观结构分析 | 第67-83页 |
·晶片表面裂缝的产生及分布 | 第67-73页 |
·晶片表面裂缝的扩展和止裂 | 第73-75页 |
·晶片表面裂缝产生的时间 | 第75-78页 |
·晶片表面网状龟裂产生的原因 | 第78-80页 |
·晶片表面散布的小点产生的原因 | 第80-81页 |
·本章小结 | 第81-83页 |
6 脉冲强激光对HG_(0.8)CD_(0.2)TE 材料表面成分的的影响 | 第83-91页 |
·实验结果 | 第83-88页 |
·结果分析 | 第88-90页 |
·本章小结 | 第90-91页 |
7 脉冲波形和作用次数对HG_(0.8)CD_(0.2)TE 晶片破坏的影响 | 第91-100页 |
·实验结果 | 第91-96页 |
·结果分析 | 第96-98页 |
·本章小结 | 第98-100页 |
8 总结 | 第100-103页 |
·全文总结 | 第100-102页 |
·论文的主要创新点 | 第102页 |
·未来工作的展望 | 第102-103页 |
致谢 | 第103-104页 |
参考文献 | 第104-116页 |
附录1 攻读学位期间发表论文目录 | 第116页 |