MOCVD法生长ZnO晶体薄膜及p型掺杂研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-29页 |
| ·ZnO薄膜的性质 | 第12-19页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第13-14页 |
| ·ZnO的本征缺陷 | 第14-17页 |
| ·ZnO的电学性能 | 第17页 |
| ·ZnO的光学性能 | 第17-19页 |
| ·ZnO薄膜制备技术 | 第19-22页 |
| ·磁控溅射技术 | 第20页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第20页 |
| ·分子束外延 | 第20-21页 |
| ·金属有机化学气相沉积 | 第21-22页 |
| ·ZnO薄膜的应用 | 第22-25页 |
| ·透明导电材料 | 第23页 |
| ·紫外光探测器 | 第23页 |
| ·短波光电器件 | 第23-24页 |
| ·与GaN互作缓冲层 | 第24页 |
| ·集成器件 | 第24-25页 |
| ·ZnO薄膜的研究现状 | 第25-26页 |
| ·立题依据 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-29页 |
| 第三章 MOCVD沉积系统 | 第29-40页 |
| ·MOCVD技术简介 | 第29-33页 |
| ·MOCVD沉积系统的组成 | 第29-32页 |
| ·MOCVD的生长机制 | 第32页 |
| ·MOCVD设备的开发现状 | 第32-33页 |
| ·MO源的选取及流量控制 | 第33-35页 |
| ·MO源的研制现状 | 第33-34页 |
| ·MO源的选取 | 第34-35页 |
| ·MO源流量的控制 | 第35页 |
| ·本实验的MOCVD系统 | 第35-37页 |
| ·实验步骤 | 第37-39页 |
| ·清洗衬底 | 第37-38页 |
| ·沉积样品 | 第38-39页 |
| ·ZnO薄膜的性能评价 | 第39页 |
| 参考文献 | 第39-40页 |
| 第四章 ZnO薄膜的晶体质量 | 第40-50页 |
| ·ZnO薄膜晶体质量的影响因素 | 第40-41页 |
| ·不同衬底上生长的ZnO薄膜 | 第41-47页 |
| ·蓝宝石上沉积的ZnO薄膜 | 第41-42页 |
| ·Si衬底上沉积的ZnO薄膜 | 第42-44页 |
| ·石英衬底上沉积的ZnO薄膜 | 第44-46页 |
| ·玻璃衬底上沉积的ZnO薄膜 | 第46-47页 |
| ·不同衬底温度下沉积的ZnO薄膜 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第五章 ZnO薄膜p型掺杂的研究 | 第50-76页 |
| ·影响ZnO薄膜p型掺杂的因素 | 第50-52页 |
| ·自补偿效应的影响 | 第50-52页 |
| ·受主杂质的影响 | 第52页 |
| ·p型掺杂理论及实现途径 | 第52-60页 |
| ·本体掺杂 | 第53-55页 |
| ·V族元素掺杂 | 第55-59页 |
| ·共掺杂 | 第59-60页 |
| ·ZnO薄膜的p型掺杂研究 | 第60-65页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜p型掺杂的影响 | 第61页 |
| ·DEZn流量对ZnO薄膜p型导电性能的影响 | 第61-62页 |
| ·N_2O流量对ZnO薄膜p型导电性能的影响 | 第62-64页 |
| ·NO流量对ZnO薄膜p型导电性能的影响 | 第64-65页 |
| ·n型与p型ZnO薄膜的性能比较 | 第65-67页 |
| ·退火对ZnO薄膜性能的影响 | 第67-75页 |
| ·退火前后ZnO薄膜形貌的变化 | 第68-69页 |
| ·退火温度对ZnO薄膜晶体质量的影响 | 第69-72页 |
| ·退火对ZnO薄膜p型转变的影响 | 第72-75页 |
| 参考文献 | 第75-76页 |
| 第六章 结论 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第78页 |
