| 第一章 文献综述及选题 | 第1-27页 |
| 1 金属配合物／沸石分子筛复合材料的研究背景 | 第11-19页 |
| ·分子筛的基本结构 | 第11-12页 |
| ·金属配合物／分子筛复合材料的研究起源 | 第12-13页 |
| ·金属配合物／分子筛复合材料的制备 | 第13-17页 |
| ·金属配合物／分子筛复合材料的制备原理 | 第13页 |
| ·主客体材料的选择 | 第13-15页 |
| ·金属配合物／分子筛复合材料的制备方法 | 第15-17页 |
| ·金属配合物／分子筛复合材料的表征 | 第17-19页 |
| 2 分子筛改性电极 | 第19-21页 |
| 3 电解液及支持电解质的选择 | 第21-22页 |
| 4 选题的目的和意义 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-27页 |
| 第二章 电化学电极过程及循环伏安法研究原理 | 第27-35页 |
| 1 电极过程研究原理 | 第27-28页 |
| 2 循环伏安法 | 第28-34页 |
| ·概念 | 第29页 |
| ·原理 | 第29-31页 |
| ·应用 | 第31-34页 |
| ·反应产物的稳定性 | 第31-32页 |
| ·电极反应的可逆性 | 第32-33页 |
| ·电化学-化学偶联反应过程的研究 | 第33页 |
| ·活性物质的吸附 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第三章 实验部分 | 第35-39页 |
| 1 金属酞菁配合物／Y复合材料及金属SALEN／Y复合材料的制备 | 第35页 |
| 2 金属配合物／分子筛复合材料及金属SALEN分子筛复合材料的表征 | 第35-36页 |
| 3 电化学实验系统 | 第36-37页 |
| 4 电解液配制 | 第37页 |
| 5 电极制备 | 第37页 |
| 6 循环伏安测试 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第四章 磺化酞菁钴／Y复合材料的研究 | 第39-55页 |
| 1 CoPc(SO_3)_4／Y样品的制备 | 第39-40页 |
| 2 CoPc(SO_3)_4／Y样品的表征 | 第40-42页 |
| ·XRD | 第40-41页 |
| ·FTIR | 第41-42页 |
| 3 样品循环伏安测试条件的选择 | 第42-51页 |
| ·空白铂电极的循环伏安测试 | 第42-44页 |
| ·铂电极上CoPc(SO_3)_4的电极过程分析 | 第44-45页 |
| ·石墨含量的选择 | 第45-47页 |
| ·聚苯乙烯含量的选择 | 第47-48页 |
| ·电解液的可重复性测试 | 第48-49页 |
| ·磺化酞菁钴含量的影响 | 第49-51页 |
| ·选择结果 | 第51页 |
| 4 样品的循环伏安测试 | 第51-54页 |
| ·铂电极上CoPc(SO_3)_4／Y的电极过程分析 | 第51-53页 |
| ·结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 第五章 金属希夫碱／分子筛复合材料的研究 | 第55-73页 |
| 1 金属希夫碱的制备 | 第56-57页 |
| ·控制反应物摩尔比方法 | 第56页 |
| ·不对称双氨基方法 | 第56-57页 |
| 2 金属希夫碱／分子筛复合材料的制备 | 第57-58页 |
| ·自由配体法 | 第57页 |
| ·沸石合成法 | 第57页 |
| ·分子渗透法 | 第57-58页 |
| 3 金属希夫碱／Y样品的表征 | 第58-60页 |
| ·XRD | 第58-59页 |
| ·FTIR | 第59-60页 |
| 4 镍希夫碱／Y(Ni-schiff-base／Y)复合材料的电化学分析 | 第60-70页 |
| ·希夫碱配体 | 第60-61页 |
| ·无取代基的Ni-Schiff-base／Y | 第61-63页 |
| ·3-OCH_3对称、不对称Ni-schiff-base／Y复合材料 | 第63-67页 |
| ·3-OCH_3对称 | 第63-65页 |
| ·3-OCH_3不对称 | 第65-67页 |
| ·比较 | 第67页 |
| ·5-Br对称、不对称Ni-Schiff-base／Y复合材料 | 第67-70页 |
| 5 结论 | 第70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 第六章 固载异双核金属配合物的电化学研究 | 第73-80页 |
| 1 异双核金属配合物的合成 | 第73-74页 |
| 2 固载异双核金属配合物的制备 | 第74-75页 |
| 3 固载异双核金属配合物的电化学分析 | 第75-79页 |
| 参考文献 | 第79-80页 |
| 总结和设想 | 第80-81页 |
| 附录 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
