| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-7页 |
| 致谢 | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 前言 | 第11-28页 |
| §1．1 介绍 | 第11-12页 |
| §1．2 载流子的注入 | 第12-15页 |
| §1．3 载流子的传输 | 第15-20页 |
| §1．3．1 空间电荷限制电流 | 第15-17页 |
| §1．3．2 载流子的迁移率—跳跃式（hopping）电导 | 第17-20页 |
| §1．4 连续性模型 | 第20-22页 |
| §1．4．1 连续性方程 | 第20-21页 |
| §1．4．2 电子和空穴的复合 | 第21-22页 |
| §1．5 界面效应 | 第22-25页 |
| 参考文献 | 第25-28页 |
| 第二章 OLED器件的制备和测试 | 第28-45页 |
| §2．1 衬底及其预处理 | 第28-32页 |
| §2．1．1 清洗 | 第29-30页 |
| §2．1．2 臭氧处理 | 第30-31页 |
| §2．1．3 氧等离子体处理 | 第31-32页 |
| §2．2 薄膜的生长 | 第32-42页 |
| §2．2．1 材料介绍 | 第32-36页 |
| §2．2．1．1 Alq_3 | 第32-34页 |
| §2．2．1．2 NPB | 第34-35页 |
| §2．2．1．3 DCM | 第35-36页 |
| §2．2．2 生长仪器介绍 | 第36-42页 |
| §2．2．2．1 真空镀膜机 | 第36-37页 |
| §2．2．2．2 有机分子束沉积系统 | 第37-40页 |
| §2．2．2．3 晶体振荡器 | 第40-42页 |
| §2．3 器件性能的测试 | 第42-44页 |
| §2．3．1 电流-亮度-电压特性 | 第42页 |
| §2．3．2 光谱测量 | 第42-43页 |
| §2．3．3 低温杜瓦瓶 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第三章 OLED中缓冲层隧穿机制的研究 | 第45-65页 |
| §3．1 背景介绍 | 第45-47页 |
| §3．2 各种模型介绍 | 第47-49页 |
| §3．2．1 界面偶极层导致能级重新排列 | 第47-48页 |
| §3．2．2 化学反应 | 第48-49页 |
| §3．2．3 隧穿势垒的降低 | 第49页 |
| §3．3 隧穿势垒降低模型的理论及实验研究 | 第49-61页 |
| §3．3．1 注入电流的计算 | 第50-52页 |
| §3．3．2 WKB近似 | 第52-54页 |
| §3．3．3 器件J-V特性的模拟 | 第54-56页 |
| §3．3．4 冲层最佳厚度的确定 | 第56-58页 |
| §3．3．5 冲层最佳厚度和有机层厚度的关系及实验验证 | 第58-60页 |
| §3．3．6 冲层最佳厚度和电极功函数的关系及实验验证 | 第60-61页 |
| §3．4 总结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第四章 阴极缓冲层增强电子注入过程中空穴作用的研究 | 第65-74页 |
| §4．1 背景介绍 | 第65-66页 |
| §4．2 机半导体中载流子注入和传输机制的分析 | 第66-68页 |
| §4．3 实验结果及讨论 | 第68-73页 |
| §4．3．1 实验描述 | 第69-70页 |
| §4．3．2 实验结果和讨论 | 第70-73页 |
| §4．4 总结 | 第73-74页 |
| 第五章 NPB的电子阻挡和空穴注入能力的研究 | 第74-90页 |
| §5．1 背景介绍 | 第74-76页 |
| §5．2 NPB对电子的阻挡及对空穴注入的增强 | 第76-84页 |
| §5．2．1 电流和发光效率对NPB厚度的依赖性 | 第76-80页 |
| §5．2．2 NPB对电子的阻挡作用 | 第80-83页 |
| §5．2．3 越过NPB层进行F?rster能量转移的可能性 | 第83-84页 |
| §5．3 对另两项工作的讨论 | 第84-85页 |
| §5．4 Alq_3对电子的阻挡作用 | 第85-88页 |
| §5．5 总结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-90页 |
| 第六章 器件性能的温度依赖性研究 | 第90-101页 |
| §6．1 背景介绍 | 第90-91页 |
| §6．2 Alq_3的电流和电致发光效率随温度的变化 | 第91-94页 |
| §6．3 NPB阻挡电子的能力随温度的变化 | 第94-98页 |
| §6．4 总结 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-101页 |
| 声明 | 第101页 |
