| 前言 | 第1-11页 |
| 第一章 立方氮化硼的性质和制备方法 | 第11-29页 |
| 第一节 氮化硼的四种异构体 | 第11-15页 |
| 第二节 立方氮化硼的正四面体结构 | 第15-16页 |
| 第三节 立方氮化硼的性质和应用前景 | 第16-17页 |
| 第四节 立方氮化硼薄膜的制备方法 | 第17-20页 |
| 第五节 立方氮化硼薄膜的标识方法 | 第20-22页 |
| 第六节 立方氮化硼的研究现状及面临的问题 | 第22-29页 |
| 第二章 射频溅射制备立方氮化硼薄膜 | 第29-49页 |
| 第一节 射频溅射的原理与应用 | 第29-39页 |
| 第二节 射频溅射系统 | 第39-40页 |
| 第三节 实验过程 | 第40-41页 |
| 第四节 衬底负偏压对制备立方氮化硼薄膜的影响 | 第41-44页 |
| 第五节 射频功率的影响 | 第44-47页 |
| 第六节 结论 | 第47-49页 |
| 第三章 立方氮化硼薄膜的性质研究 | 第49-64页 |
| 第一节 用AFM分析立方氮化硼薄膜的形貌 | 第49-50页 |
| 第二节 立方氮化硼薄膜表面的XPS分析和硼氮原子比 | 第50-57页 |
| 第三节 立方氮化硼薄膜中的应力 | 第57-59页 |
| 第四节 立方氮化硼薄膜的折射率 | 第59-62页 |
| 第五节 结论 | 第62-64页 |
| 第四章 压应力对制备立方氮化硼薄膜的影响 | 第64-74页 |
| 第一节 引言 | 第64页 |
| 第二节 立方氮化硼薄膜的吉布斯自由能的计算 | 第64-68页 |
| 第三节 讨论 | 第68-70页 |
| 第四节 减小立方氮化硼薄膜应力的方法 | 第70-71页 |
| 第五节 结论 | 第71-74页 |
| 第五章 衬底材料对制备立方氮化硼薄膜的影响 | 第74-82页 |
| 第一节 引言 | 第74页 |
| 第二节 实验 | 第74-75页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第75-80页 |
| 第四节 结论 | 第80-82页 |
| 第六章 立方氮化硼薄膜的生长机理探讨 | 第82-91页 |
| 第一节 立方氮化硼薄膜的层状结构 | 第82-83页 |
| 第二节 影响立方氮化硼薄膜生长的主要因素 | 第83-85页 |
| 第三节 立方氮化硼薄膜的成核与生长机制 | 第85-87页 |
| 第四节 衬底偏压和射频功率对生长立方氮化硼薄膜的影响 | 第87-91页 |
| 第七章 氮化硼薄膜的n型掺杂研究 | 第91-101页 |
| 第一节 氮化硼薄膜的n型掺杂研究 | 第91-93页 |
| 第二节 BN（n型）/Si（p型）异质节 | 第93-99页 |
| 第三节 结论 | 第99-101页 |
| 总结 | 第101-102页 |
| 作者在攻读博士学位期间发表的论文 | 第102-103页 |
| 致谢 | 第103页 |