序言 | 第1-8页 |
第一章 分子束质谱技术简介 | 第8-14页 |
1.1 分子束质谱技术 | 第8-10页 |
1.1.1 分子束质谱概念 | 第8页 |
1.1.2 分子束质谱仪器装置 | 第8-9页 |
1.1.3 分子束质谱法与光谱法之比较 | 第9-10页 |
1.2 分子束质谱的发展 | 第10-14页 |
参考文献 | 第12-14页 |
第二章 电晕放电等离子体简介 | 第14-23页 |
2.1 电晕放电等离子体概述 | 第14-15页 |
2.2 电晕放电类型 | 第15-16页 |
2.3 电晕放电的应用 | 第16-23页 |
2.3.1 作为离子源的电晕放电 | 第16-17页 |
2.3.2 臭氧生产 | 第17-18页 |
2.3.3 高压脉冲电晕放电与烟气处理 | 第18-22页 |
参考文献 | 第22-23页 |
第三章 实验部分 | 第23-30页 |
3.1 实验装置 | 第23-28页 |
3.1.1 高压短脉冲电源 | 第23页 |
3.1.2 反应器设计 | 第23-26页 |
3.1.3 分子束质谱装置 | 第26-27页 |
3.1.4 信号记录部分 | 第27-28页 |
3.2 电磁干扰的消除 | 第28-29页 |
3.3 实验过程简述 | 第29-30页 |
第四章 纯N_2高压脉冲电晕放电体系诊断研究 | 第30-36页 |
4.1 研究体系与实验过程简述 | 第30页 |
4.2 实验结果与分析 | 第30-34页 |
4.2.1 脉冲峰值电压及重复频率对N~+与N_2~+离子流强的影响 | 第30-33页 |
4.2.2 放电室N_2压力对N~+与N_2~+离子流强的影响 | 第33-34页 |
4.3 结论 | 第34-36页 |
参考文献 | 第35-36页 |
第五章 N_2+O_2高压脉冲电晕放电体系诊断研究 | 第36-45页 |
5.1 研究体系与实验过程简述 | 第36-37页 |
5.2 实验结果与讨论 | 第37-42页 |
5.2.1 脉冲放电峰值电压对离子流强的影响 | 第39-40页 |
5.2.2 放电重复频率对离子流强的影响 | 第40-41页 |
5.2.3 放电气压对离子流强的影响 | 第41-42页 |
5.3 结论 | 第42-45页 |
参考文献 | 第44-45页 |
第六章 模拟计算 | 第45-53页 |
6.1 模型描述 | 第45-47页 |
6.1.1 时空单元内的反应速率常数 | 第45-47页 |
6.1.2 相邻空间单元的粒子扩散 | 第47页 |
6.1.3 带电粒子的迁移 | 第47页 |
6.2 模拟结果与讨论 | 第47-51页 |
6.2.1 电子的空间分布 | 第48页 |
6.2.2 N~+和N_2~+的空间分布 | 第48-49页 |
6.2.3 N~+和N_2~+的空间分布随时间的变化 | 第49页 |
6.2.4 N_2气压对N_2~+浓度的影响 | 第49-51页 |
6.3 结论 | 第51-53页 |
参考文献 | 第52-53页 |
致 谢 | 第53-54页 |
作者简历与发表论文情况 | 第54页 |