| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·混沌的定义 | 第10-11页 |
| ·典型的非线性混沌系统 | 第11-12页 |
| ·离散系统 | 第11页 |
| ·连续系统 | 第11-12页 |
| ·延迟微分系统 | 第12页 |
| ·描述和分析混沌的工具 | 第12-14页 |
| ·相空间、吸引子、庞加莱图 | 第12-13页 |
| ·稳态行为 | 第13页 |
| ·分析混沌的常用方法 | 第13-14页 |
| ·混沌控制 | 第14-15页 |
| ·OGY控制方法 | 第14页 |
| ·连续控制法 | 第14-15页 |
| ·混沌同步与激光混沌通信的发展 | 第15-17页 |
| ·混沌同步 | 第15-16页 |
| ·激光混沌同步及通信的发展 | 第16-17页 |
| ·本论文的研究内容与意义 | 第17-18页 |
| 第二章 垂直腔表面发射激光器及其理论模型 | 第18-26页 |
| ·垂直腔表面发射激光器的发展 | 第18-19页 |
| ·垂直腔表面发射激光器的物理结构 | 第19-20页 |
| ·孤立垂直腔表面发射激光器的理论模型 | 第20-23页 |
| ·描述边发射半导体激光器的理论模型 | 第20-21页 |
| ·扩展的Lang-Kobayashi(L-K)理论模型 | 第21页 |
| ·自旋反转模型(spin-flip model,SFM) | 第21-23页 |
| ·扩展的垂直腔表面发射激光器的理论模型 | 第23-25页 |
| ·外部光注入项的描述 | 第23-24页 |
| ·随机噪声项的形式 | 第24页 |
| ·扩展的垂直腔表面发射激光器的理论模型 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 基于互注入半导体激光器的激光混沌同步性能 | 第26-33页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·单向注入半导体激光器系统的混沌同步性能 | 第26-28页 |
| ·互注入半导体激光器系统的混沌同步性能 | 第28-29页 |
| ·互注入VCSELs系统的混沌同步性能 | 第29-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 参数失配对互注VCSELs系统超前滞后混沌同步的影响 | 第33-41页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·系统模型 | 第33-34页 |
| ·理论 | 第34-35页 |
| ·结果和讨论 | 第35-40页 |
| ·对称内部参数下频率失谐或非对称注入对互注入VCSELs超前滞后混沌同步关系的影响 | 第35-36页 |
| ·内部参数失配对由频率失谐引发的的超前滞后混沌同步的影响 | 第36-38页 |
| ·内部参数失配对由非对称注入系数引发的的超前滞后混沌同步的影响 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 结束语 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第50页 |
