| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·引言 | 第9-13页 |
| ·纳米科技的提出和发展 | 第9-10页 |
| ·纳米材料和器件及其特性 | 第10-13页 |
| ·量子尺寸效应 | 第11-12页 |
| ·小尺寸效应 | 第12页 |
| ·表面效应 | 第12页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第12-13页 |
| ·一维纳米材料的研究进展 | 第13-14页 |
| ·一维纳米材料的生长机制 | 第14-18页 |
| ·气-液-固生长机制 | 第14-16页 |
| ·气-固生长机制 | 第16-18页 |
| ·课题的意义即研究内容: | 第18-22页 |
| ·SiC半导体及一维SiC纳米材料 | 第18页 |
| ·相关研究背景: | 第18-19页 |
| ·研究内容和目标: | 第19-20页 |
| ·研究方案 | 第20-22页 |
| 第二章 实验方法及分析测试 | 第22-27页 |
| ·实验原料 | 第22页 |
| ·实验设备 | 第22-23页 |
| ·实验方法 | 第23-24页 |
| ·表征手段 | 第24-27页 |
| ·X射线衍射(X-raydiffraction,XRD) | 第24页 |
| ·附带能谱仪的扫描电子显微镜(scanningelectronmicroscopy,SEM) | 第24-25页 |
| ·透射电子显微镜(transmissionelectronmicroscopy,TEM) | 第25页 |
| ·光致发光谱(photoluminescencespectrum,PL) | 第25-26页 |
| ·Raman光谱分析 | 第26-27页 |
| 第三章 C-Si-O体系下一维纳米结构的生长 | 第27-44页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·实验 | 第28-29页 |
| ·实验结果以及讨论 | 第29-35页 |
| ·所得结果的形貌分析 | 第29-33页 |
| ·FT-IR以及XRD分析 | 第33页 |
| ·TEM,SAED和EDS表征 | 第33-35页 |
| ·生长机理分析 | 第35-42页 |
| ·SiC纳米线的VLS生长机理: | 第35-36页 |
| ·SiC纳米管的VS生长机理: | 第36-38页 |
| ·SiC/SiO_2纳米电缆 | 第38-42页 |
| ·SiC/SiO_2纳米电缆生长的双VS机理 | 第38-41页 |
| ·各种不同形貌的SiC/SiO_2复合结构 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 C-Si-O-X体系下纳米结构的生长 | 第44-63页 |
| ·C-Si-O-Fe体系下纳米结构的生长 | 第44-58页 |
| ·所得产物的相分析 | 第45-46页 |
| ·不同原料配比对反应产物形貌的影响 | 第46-49页 |
| ·C-Si-O-Fe体系的进一步探索 | 第49-58页 |
| ·大量分布非常均匀六棱柱状SiC纳米线的合成 | 第49-52页 |
| ·六棱柱状SiC纳米线的Raman分析 | 第52-53页 |
| ·完美优雅的向日葵状SiOx结构的合成 | 第53-58页 |
| ·C-Si-O-Ni体系下纳米结构的生长 | 第58-60页 |
| ·C-Si-O-Al下纳米结构的生长 | 第60页 |
| ·C-Si-O-Fe-S-Zn体系下纳米结构的生长 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 SiC纳米线中的缺陷及其光致发光性能研究 | 第63-68页 |
| ·晶体中的孪晶缺陷 | 第63-65页 |
| ·SiC一维纳米结构中孪晶缺陷和表面态对其光致发光性能的影响 | 第65-68页 |
| 第六章 总结 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-77页 |
| 研究生期间发表的论文 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
