| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| §1.1 研究GeSi量子点的意义及应用前景课题研究背景 | 第8-9页 |
| §1.2 研究GeSi量子点的方法 | 第9-12页 |
| §1.2.1 原子力显微镜(Atomic Force Microscopy) | 第10页 |
| §1.2.2 光致发光谱(Photolumicescence Spectroscopy) | 第10-11页 |
| §1.2.3 深能级瞬态谱(DLTS) | 第11-12页 |
| §1.3 研究掺铒薄膜的意义 | 第12-14页 |
| §1.3.1 掺铒薄膜的研究现状 | 第12-14页 |
| §1.3.2 掺Er HfO_2薄膜的研究意义 | 第14页 |
| §1.4 研究掺Er HfO_2薄膜的方法 | 第14-15页 |
| §1.4.1 光致发光谱(PL) | 第15页 |
| §1.4.2 光致发光激发谱(PLE) | 第15页 |
| §1.5 本文主要研究内容 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-18页 |
| 第二章 GeSi量子点样品的生长及测试系统实验方法和表征手段 | 第18-23页 |
| §2.1 生长Si基Ge量子点的方法 | 第18-19页 |
| §2.2 测试系统及样品制备 | 第19-22页 |
| §2.2.1 光致发光谱(PL) | 第19-20页 |
| §2.2.2 深能级瞬态谱(DLTS) | 第20-21页 |
| §2.2.3 样品制备 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-23页 |
| 第三章 实验结果及讨论 | 第23-34页 |
| §3.1 样品形貌 | 第23页 |
| §3.2 光致发光谱(PL)实验结果及讨论 | 第23-27页 |
| §3.3 DLTS实验结果及讨论 | 第27-31页 |
| §3.3.1 C-V测试结果 | 第27-28页 |
| §3.3.2 DLTS实验结果 | 第28-31页 |
| §3.4 量子点能级随激子浓度的变化规律 | 第31-32页 |
| §3.5 小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第四章 掺铒薄膜材料发光的相关理论及制备技术 | 第34-41页 |
| §4.1 Er~(3+)的光谱理论 | 第34-37页 |
| §4.1.1 Er元素电子层结构和能级 | 第34-35页 |
| §4.1.2 Er~(3+)的受激吸收、受激发射、自发辐射和非辐射跃迁 | 第35-36页 |
| §4.1.3 Er~(3+)之间的能量传递机制 | 第36-37页 |
| §4.1.4 Er与声子的能量传递 | 第37页 |
| §4.2 掺Er薄膜的制备工艺 | 第37-40页 |
| §4.2.1 离子注入法 | 第38页 |
| §4.2.2 脉冲激光沉积(PLD) | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第五章 实验结果及讨论 | 第41-49页 |
| §5.1 掺铒HfO_2薄膜样品的制备 | 第41页 |
| §5.2 发光特性及发光机理的讨论 | 第41-47页 |
| §5.2.1 室温PL的分析与讨论 | 第41-42页 |
| §5.2.2 从PLE看Er~(3+)在HfO_2薄膜中的发光机制 | 第42-43页 |
| §5.2.3 衬底温度对室温PL的影响 | 第43-44页 |
| §5.2.4 退火温度对室温PL的影响 | 第44-46页 |
| §5.2.5 变温PL的讨论 | 第46-47页 |
| §5.3 小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 工作总结 | 第49-50页 |
| 论文发表 | 第50页 |
| 参加学术会议 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
