摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
1 绪论 | 第10-17页 |
·课题的提出及研究的目的和意义 | 第10页 |
·KDP晶体的物理、加工特性及工程运用 | 第10-12页 |
·KDP晶体精密超精密加工国内外研究现状及分析 | 第12-14页 |
·化学机械抛光材料去除机理的研究现状 | 第14-15页 |
·逐点可控抛光技术研究现状 | 第15-16页 |
·主要研究内容 | 第16-17页 |
2 KDP晶体微纳溶解抛光材料去除模型的建立 | 第17-44页 |
·KDP晶体微纳溶解抛光材料去除组成因素及其可控机理 | 第17-25页 |
·KDP晶体潮解现象及其在水中的溶解度 | 第17-18页 |
·KDP晶体微纳溶解抛光材料去除的组成因素 | 第18-23页 |
·KDP晶体微纳溶解抛光界面的润滑状态分析 | 第23页 |
·KDP晶体微纳溶解抛光材料去除的可控原理 | 第23-25页 |
·基于粗糙表面接触理论的KDP晶体微纳溶解抛光材料去除模型构建 | 第25-34页 |
·KDP晶体微纳溶解抛光接触界面状态的等效转换 | 第26-28页 |
·假设条件 | 第28-30页 |
·抛光界面实际接触面积求解 | 第30-32页 |
·实际接触面积上的水核数量计算 | 第32页 |
·KDP晶体微纳溶解抛光材料去除模型公式 | 第32-34页 |
·KDP晶体微纳溶解抛光材料去除模型理论计算及试验验证 | 第34-37页 |
·抛光压力对材料去除率的影响关系 | 第35-36页 |
·抛光速度对材料去除率的影响关系 | 第36页 |
·抛光液含水量对材料去除率的影响关系 | 第36-37页 |
·抛光原始表面粗糖状态对材料去除率的影响关系 | 第37页 |
·KDP晶体微纳溶解抛光Preston方程的修正 | 第37-38页 |
·KDP晶体微纳溶解常规抛光缺陷分析 | 第38-43页 |
·本章小结 | 第43-44页 |
3 KDP晶体逐点可控微纳溶解抛光去除函数构建 | 第44-78页 |
·KDP晶体逐点可控微纳溶解抛光的可行性分析 | 第44-45页 |
·抛光头的运动方式 | 第45-46页 |
·KDP晶体逐点可控微纳溶解抛光界面摩擦特性分析 | 第46-51页 |
·摩擦特性试验设计 | 第46-49页 |
·KDP晶体逐点可控微纳溶解抛光界面摩擦特性 | 第49-51页 |
·KDP晶体逐点可控微纳溶解抛光界面润滑状态 | 第51页 |
·纯机械作用对材料去除的影响 | 第51-53页 |
·KDP晶体逐点可控微纳溶解抛光去除函数构建 | 第53-55页 |
·方形工件非边界处的去除函数 | 第53-54页 |
·方形工件边界处的去除函数 | 第54-55页 |
·常系数K的试验测定 | 第55-58页 |
·抛光头的有效抛光直径 | 第58-59页 |
·去除函数理论计算 | 第59-63页 |
·抛光头公转与自转同向时的去除函数 | 第59-61页 |
·抛光头公转与自转反向时的去除函数 | 第61-63页 |
·KDP晶体逐点可控微纳溶解抛光去除函数试验验证 | 第63-76页 |
·试验设计 | 第63页 |
·试验结果的校正 | 第63-65页 |
·方形工件非边界处的去除函数试验结果 | 第65-75页 |
·方形工件边界处的去除函数试验结果 | 第75-76页 |
·KDP晶体逐点可控微纳溶解抛光去除函数试验结果分析 | 第76-77页 |
·本章小结 | 第77-78页 |
4 KDP晶体逐点可控微纳溶解抛光过程仿真及试验分析 | 第78-99页 |
·驻留函数数值计算 | 第78-80页 |
·加工表面网格与驻留点网格划分 | 第79-80页 |
·以最小加工时间为目标函数的驻留时间优化求解 | 第80页 |
·以最小加工残差为目标函数的驻留时间优化求解 | 第80页 |
·KDP晶体逐点可控微纳溶解抛光工艺软件系统 | 第80-85页 |
·KDP晶体单点金刚石车后表面逐点可控微纳溶解抛光过程仿真分析 | 第85-92页 |
·KDP晶体单点金刚石车后表面误差形态 | 第85-87页 |
·仿真用抛光轨迹 | 第87页 |
·仿真用抛光参数 | 第87页 |
·仿真用去除函数 | 第87-89页 |
·仿真结果及分析 | 第89-92页 |
·KDP晶体逐点可控微纳溶解抛光试验研究 | 第92-95页 |
·KDP晶体光顺工艺理论试验研究 | 第95-98页 |
·光顺加工最优进给速度的确定 | 第95-97页 |
·光顺加工试验研究 | 第97-98页 |
·本章小结 | 第98-99页 |
结论 | 第99-102页 |
参考文献 | 第102-108页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第108-109页 |
致谢 | 第109-110页 |