高灵敏瞬态二极管的研究
| 目录 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-9页 |
| ·研究目的及意义 | 第6页 |
| ·应用领域 | 第6-7页 |
| ·国内外研究动态 | 第7页 |
| ·本文的主要工作 | 第7-9页 |
| 第二章 平面高灵敏瞬态二极管的理论分析 | 第9-17页 |
| ·二极管的设计基础——PN结 | 第9-12页 |
| ·PN结的形成 | 第9-10页 |
| ·PN结的单向导电性 | 第10页 |
| ·PN结的电流方程 | 第10-11页 |
| ·PN结的伏安特性 | 第11页 |
| ·PN结的电容效应 | 第11-12页 |
| ·平面高灵敏瞬态二极管的工作原理 | 第12页 |
| ·平面高灵敏瞬态二极管TVS的特性和主要参数 | 第12-16页 |
| ·TVS的特性 | 第13页 |
| ·TVS的主要参数 | 第13-16页 |
| ·TVS的分类 | 第16页 |
| ·TVS与稳压二极管的区别 | 第16-17页 |
| 第三章 平面高灵敏瞬态二极管的设计 | 第17-29页 |
| ·本次设计的平面高灵敏瞬态二极管的主要技术指标 | 第17页 |
| ·平面高灵敏瞬态二极管的纵向结构分析与计算 | 第17-22页 |
| ·选取参数值 | 第17页 |
| ·计算击穿电压、箝位电压、峰值电流 | 第17-18页 |
| ·计算外延层的杂质浓度及电阻率 | 第18页 |
| ·计算空间电荷区宽度 | 第18-19页 |
| ·计算基区(硼B区)的掺杂浓度 | 第19页 |
| ·计算结深 | 第19-20页 |
| ·外延层厚度的计算 | 第20页 |
| ·计算基区(B区)的面积 | 第20-21页 |
| ·隔离区的深度 | 第21页 |
| ·金属铝层的厚度 | 第21-22页 |
| ·纵向设计小结 | 第22-23页 |
| ·设计指标 | 第22页 |
| ·物理常数(结构参数) | 第22-23页 |
| ·横向结构设计 | 第23-29页 |
| ·PN结扩散基区(B区)面积 | 第24-25页 |
| ·隐埋层的面积 | 第25页 |
| ·隔离孔的宽度 | 第25-26页 |
| ·引线孔的面积 | 第26页 |
| ·横向扩散深度 | 第26-27页 |
| ·铝反刻的面积 | 第27页 |
| ·钝化层面积 | 第27-29页 |
| 第四章 平面高灵敏瞬态二极管的实现 | 第29-40页 |
| ·平面工艺 | 第29-32页 |
| ·硅片清洗工艺 | 第29页 |
| ·外延工艺 | 第29-30页 |
| ·氧化工艺 | 第30页 |
| ·光刻工艺 | 第30-31页 |
| ·扩散工艺 | 第31-32页 |
| ·平面瞬态二极管的工艺流程图 | 第32-40页 |
| ·硅片清洗 | 第32-33页 |
| ·基片氧化 | 第33-34页 |
| ·埋层光刻 | 第34页 |
| ·埋层区扩散 | 第34-35页 |
| ·去除氧化层后外延 | 第35-36页 |
| ·隔离氧化 | 第36页 |
| ·隔离光刻 | 第36页 |
| ·隔离扩散 | 第36页 |
| ·基区氧化 | 第36-37页 |
| ·基区光刻 | 第37页 |
| ·基区扩散 | 第37-38页 |
| ·光刻引线孔 | 第38-39页 |
| ·蒸铝 | 第39页 |
| ·铝反刻 | 第39页 |
| ·铝合金 | 第39-40页 |
| 第五章 结论 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
