| 中文摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-5页 |
| 中文文摘 | 第5-10页 |
| 绪论 | 第10-16页 |
| 1 半导体自旋电子学 | 第10-11页 |
| 2 稀磁半导体研究情况 | 第11-14页 |
| 3 本论文研究的方法及主要内容 | 第14-16页 |
| 第一章 理论基础与计算工具 | 第16-27页 |
| 第一节 第一性原理计算方法 | 第16-22页 |
| 1 多体系统的薛定谔方程 | 第16-17页 |
| 2 Born-Oppenheimer绝热近似 | 第17页 |
| 3 Hohenberg-Kohn定理(多电子理论) | 第17-18页 |
| 4 Kohn-Sham方程(有效单电子理论) | 第18-19页 |
| 5 局域密度近似(LDA) | 第19-20页 |
| 6 广义梯度近似(GGA) | 第20页 |
| 7 VASP程序包,电子结构计算的一般过程 | 第20-22页 |
| 第二节 蒙特卡洛模拟 | 第22-23页 |
| 第三节 本文中涉及磁性材料研究中的几个基本参量 | 第23-27页 |
| 1 交换相互作用 | 第23-24页 |
| 2 铁磁性 | 第24-25页 |
| 3 反铁磁性 | 第25-27页 |
| 第二章 过渡金属掺杂ZnO磁性研究:第一性原理计算与蒙特卡洛模拟 | 第27-43页 |
| 第一节 引言 | 第27页 |
| 第二节 模型与计算 | 第27-29页 |
| 1 第一性原理计算 | 第27-29页 |
| 2 Monte Carlo模拟部分 | 第29页 |
| 第三节 结果和讨论 | 第29-42页 |
| 1 Co掺杂ZnO稀磁半导体特性 | 第29-31页 |
| 2 Cu掺杂ZnO稀磁半导体特性 | 第31-35页 |
| 3 Co和Cu掺杂ZnO中各原子电子转移数,平面磁矩分布以及磁耦合机制 | 第35-42页 |
| 第四节 结论 | 第42-43页 |
| 第三章 ZnO_(1-x)C_x稀磁半导体的磁特性的第一性原理和蒙特卡罗研究 | 第43-54页 |
| 第一节 引言 | 第43-44页 |
| 第二节 计算与模拟 | 第44-46页 |
| 1 第一性原理计算 | 第44-45页 |
| 2 Nonte Carlo模拟 | 第45-46页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第46-53页 |
| 第四节 结论 | 第53-54页 |
| 第四章 Al和S掺杂ZnO材料电子结构和电子转移 | 第54-62页 |
| 第一节 引言 | 第54页 |
| 第二节 第一性原理计算 | 第54-56页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第56-61页 |
| 1 Al和S掺杂ZnO的态密度分析 | 第56-58页 |
| 2 Al和S掺杂ZnO中各原子的电子转移数,平面磁矩分布 | 第58-61页 |
| 第四节 结论 | 第61-62页 |
| 第五章 总结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 攻读学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 个人简历 | 第71页 |
