| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-32页 |
| §1.1 纳米科技简介 | 第11-14页 |
| §1.1.1 纳米科技的发展历程 | 第11-13页 |
| §1.1.2 纳米材料 | 第13页 |
| §1.1.3 纳米器件 | 第13-14页 |
| §1.1.4 纳米材料的检测与表征 | 第14页 |
| §1.2 纳米微粒与结构薄膜 | 第14-19页 |
| §1.2.1 纳米微粒结构薄膜的制备方法 | 第15-17页 |
| §1.2.2 纳米微粒结构薄膜的器件应用 | 第17-19页 |
| §1.3 信息存储材料与类型 | 第19-24页 |
| §1.3.1 磁存储材料及其原理 | 第19-21页 |
| §1.3.2 半导体存储材料及其类型 | 第21-22页 |
| §1.3.3 光盘存储材料及其类型 | 第22页 |
| §1.3.4 新型信息存储材料及其类型 | 第22-24页 |
| §1.4 本论文工作的研究意义、思路和内容 | 第24-28页 |
| §1.4.1 本论文研究的意义和思路 | 第24-26页 |
| §1.4.2 本论文研究的主要内容 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-32页 |
| 第二章 CuO纳米结构颗粒薄膜的制备、表征及其光开关性质的研究 | 第32-43页 |
| §2.1 引言 | 第32-33页 |
| §2.2 实验部分 | 第33-35页 |
| §2.2.1 实验仪器 | 第33页 |
| §2.2.2 样品的制备 | 第33-34页 |
| §2.2.3 样品的表征 | 第34-35页 |
| §2.3 结果与讨论 | 第35-40页 |
| §2.3.1 膜厚与溅射时间的关系 | 第35-36页 |
| §2.3.2 表面形貌分析 | 第36-37页 |
| §2.3.3 晶体结构分析 | 第37-38页 |
| §2.3.4 化学价态分析 | 第38-39页 |
| §2.3.5 光电输运性质分析 | 第39-40页 |
| §2.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第三章 CuO纳米结构颗粒薄膜的电阻开关性质研究 | 第43-58页 |
| §3.1 引言 | 第43-44页 |
| §3.2 研究现状及理论基础 | 第44-49页 |
| §3.2.1 研究现状 | 第44-46页 |
| §3.2.2 理论基础 | 第46-49页 |
| §3.3 结果分析 | 第49-54页 |
| §3.3.1 I-V曲线的测量方法 | 第49-50页 |
| §3.3.2 典型I-V曲线特性分析 | 第50-51页 |
| §3.3.3 双对数坐标系下I-V曲线特性分析 | 第51-52页 |
| §3.3.4 开关态保持性能分析 | 第52-53页 |
| §3.3.5 两种不同电极制备方法下开关性质分析 | 第53-54页 |
| §3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第四章 TiO_2纳米介孔结构薄膜的电阻开关性质研究 | 第58-70页 |
| §4.1 引言 | 第58-62页 |
| §4.1.1 TiO_2介孔材料简介 | 第58-59页 |
| §4.1.2 研究现状 | 第59-62页 |
| §4.2 样品制备与表征 | 第62-63页 |
| §4.3 结果与讨论 | 第63-68页 |
| §4.3.1 表面形貌分析究 | 第63-64页 |
| §4.3.2 晶体结构分析 | 第64-65页 |
| §4.3.3 典型I-V曲线特性分析 | 第65-66页 |
| §4.1.4 双对数坐标系下I-V曲线特性分析 | 第66-67页 |
| §4.3.5 开关态保持性能分析 | 第67-68页 |
| §4.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-70页 |
| 第五章 总结与展望 | 第70-71页 |
| 硕士期间发表和已完成的工作 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |