锰（铁）硅薄膜微结构研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第5-6页 |
| §1.1 锰(铁)硅薄膜研究的意义 | 第5页 |
| §1.2 本论文的主要内容及其安排 | 第5-6页 |
| 第二章 锰(铁)硅薄膜的制备 | 第6-17页 |
| §2.1 分子束外延技术 | 第6-7页 |
| §2.2 分子束外延设备 | 第7-9页 |
| §2.3 原位表征技术 | 第9-13页 |
| §2.3.1 反射式高能电子衍射(RHEED) | 第9-11页 |
| §2.3.2 俄歇电子能谱(AES) | 第11-13页 |
| §2.4 薄膜生长 | 第13-16页 |
| §2.4.1 Si片清洗 | 第13-15页 |
| §2.4.2 薄膜的生长 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-17页 |
| 第三章 锰(铁)硅薄膜的拉曼光谱表征 | 第17-28页 |
| §3.1 拉曼光谱原理简介 | 第17-18页 |
| §3.2 实验 | 第18-19页 |
| §3.3 结果和讨论 | 第19-25页 |
| §3.3.1 锰硅化合物拉曼光谱 | 第19-23页 |
| §3.3.2 铁硅化合物拉曼光谱 | 第23-25页 |
| §3.4 小结 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-28页 |
| 第四章 锰(铁)硅薄膜的双晶XRD表征 | 第28-35页 |
| §4.1 双晶XRD原理简介 | 第28-31页 |
| §4.2 实验 | 第31页 |
| §4.3 结果和讨论 | 第31-33页 |
| §4.4 小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第35-36页 |
| 致谢 | 第36-37页 |
