| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 概述 | 第10-15页 |
| ·研究背景及意义 | 第10-12页 |
| ·AIN薄膜应用前景与制备 | 第10-11页 |
| ·实验中的科学问题 | 第11-12页 |
| ·AIN薄膜生长机理理论研究现状 | 第12-14页 |
| ·薄膜生长机理研究的理论方法 | 第12-13页 |
| ·计算机模拟研究现状 | 第13-14页 |
| ·本文的主要工作与创新 | 第14-15页 |
| 第二章 基本原理与方法 | 第15-29页 |
| ·第一性原理计算方法概述 | 第15页 |
| ·密度泛函理论在晶体计算中的应用 | 第15-23页 |
| ·Hobenberg-Kohn定理 | 第16-18页 |
| ·晶体计算中的Kohn-Sham方程 | 第18-20页 |
| ·交换关联能求解近似方法 | 第20-23页 |
| ·局域密度近似(Local Density Approximation，LDA) | 第21-22页 |
| ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation，GGA) | 第22-23页 |
| ·其它方法 | 第23页 |
| ·从头计算分子动力学方法 | 第23-26页 |
| ·基本原理 | 第23-24页 |
| ·从头计算分子动力学中离子运动方程 | 第24页 |
| ·从头计算分子动力学计算流程 | 第24-26页 |
| ·Castep软件包功能特点 | 第26-29页 |
| ·CASTEP功能特点 | 第26-27页 |
| ·关键计算参数选择 | 第27-29页 |
| 第三章 AlN在α-Al_2O_3(0001)表面吸附过程 | 第29-38页 |
| ·概述 | 第29-30页 |
| ·计算的物理模型和方法 | 第30-32页 |
| ·计算的物理模型 | 第30-31页 |
| ·计算方法 | 第31-32页 |
| ·吸附过程与能量分析 | 第32-36页 |
| ·模型A的吸附 | 第32-34页 |
| ·模型B的吸附 | 第34-36页 |
| ·不同吸附模型对比分析 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第四章 α-Al_2O_3(0001)吸附AlN的表面结构与成键 | 第38-48页 |
| ·概述 | 第38-39页 |
| ·计算方法 | 第39页 |
| ·稳定吸附的表面结构 | 第39-42页 |
| ·模型A的表面结构 | 第40-41页 |
| ·模型B的表面结构 | 第41-42页 |
| ·表面成键分析 | 第42-47页 |
| ·Mulliken布居分析 | 第42-43页 |
| ·成键与态密度 | 第43-46页 |
| ·电子局域函数 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第五章 温度对表面粒子的吸附与扩散影响 | 第48-55页 |
| ·概述 | 第48页 |
| ·不同温度的吸附过程与能量 | 第48-51页 |
| ·吸附过程中的粒子扩散距离和扩散系数 | 第51-52页 |
| ·温度对扩散的影响 | 第52-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第六章 全文总结与工作展望 | 第55-57页 |
| ·主要结论 | 第55-56页 |
| ·工作展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 附录 | 第64页 |
