| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-37页 |
| ·等离子体辅助制备纳米结构材料 | 第13-29页 |
| ·纳米结构材料特性与应用 | 第13-19页 |
| ·纳米结构材料制备的一般方法 | 第19-21页 |
| ·等离子体介绍 | 第21-26页 |
| ·等离子体技术在纳米材料制备中的应用 | 第26-29页 |
| ·等离子体辅助模板沉积纳米结构 | 第29-31页 |
| ·等离子体辅助模板沉积纳米结构研究现状及面临问题 | 第31-32页 |
| ·本论文的主要研究目的、内容与结构 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-37页 |
| 第二章 等离子体理论模拟研究的一般方法 | 第37-44页 |
| ·理论模拟的常用方法 | 第37-40页 |
| ·流体动力学方法 | 第37-38页 |
| ·动力学理论 | 第38-39页 |
| ·蒙特卡洛模拟 | 第39-40页 |
| ·蒙特卡罗方法介绍 | 第40-43页 |
| ·蒙特卡洛方法 | 第40-41页 |
| ·蒙特卡洛方法目前研究现状 | 第41-42页 |
| ·蒙特卡洛方法一般步骤 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第三章 等离子体辅助模板沉积金属纳米点阵的数值模拟研究 | 第44-61页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·理论模型 | 第45-50页 |
| ·理论模型 | 第45-48页 |
| ·模拟的各个模块和流程 | 第48-49页 |
| ·程序的精度、准确性问题 | 第49-50页 |
| ·模拟结果和讨论 | 第50-57页 |
| ·模板表面的电场分布 | 第50-51页 |
| ·参数对相对沉积率的影响 | 第51-52页 |
| ·参数对离子在孔洞侧壁上分布的影响 | 第52-54页 |
| ·结果分析和讨论 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第四章 脉冲偏压辅助等离子体沉积介质材料的数值模拟研究 | 第61-79页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·利用模板沉积介质纳米材料的面临问题 | 第61-63页 |
| ·研究现状与问题 | 第61-63页 |
| ·无脉冲偏压模板沉积介质纳米点的模拟 | 第63页 |
| ·脉冲偏压下模拟模板沉积介质纳米点的理论模型 | 第63-69页 |
| ·理论模型 | 第63-66页 |
| ·模拟模板表面周期变化电场的解决方案 | 第66-69页 |
| ·模拟结果和讨论 | 第69-76页 |
| ·脉冲偏压占空比对相对沉积率和离子流分布的影响 | 第69-72页 |
| ·脉冲高度和宽度对相对沉积率和离子流分布的影响 | 第72-74页 |
| ·模拟结果分析和讨论 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第五章 等离子体辅助模板沉积介质材料纳米点阵中性粒子和离子在流分布的研究 | 第79-102页 |
| ·引言 | 第79-80页 |
| ·理论模型 | 第80-83页 |
| ·模拟结果和讨论 | 第83-98页 |
| ·偏压对相对沉积率和粒子流分布的影响 | 第83-86页 |
| ·电子温度和等离子体密度对沉积率和粒子流分布的影响 | 第86-89页 |
| ·模板孔洞尺寸的影响 | 第89-92页 |
| ·模板上表面粒子的沉积 | 第92-95页 |
| ·模板孔洞形貌随时间动态的变化的研究 | 第95页 |
| ·结果讨论 | 第95-98页 |
| ·本章小结 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-102页 |
| 第六章 总结与展望 | 第102-107页 |
| ·本论文的主要工作 | 第102-104页 |
| ·本文的创新点 | 第104-106页 |
| ·工作展望 | 第106-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
| 攻读博士学位期间完成的学术论文和专利 | 第108-109页 |
