氢化非晶硅薄膜制备及其微结构和光电性能研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-30页 |
| ·非晶半导体概述 | 第13-15页 |
| ·氢化非晶硅薄膜的研究现状 | 第15-26页 |
| ·氢化非晶硅薄膜的发展简况 | 第15页 |
| ·氢化非晶硅的物理性能 | 第15-17页 |
| ·氢化非晶硅薄膜的常用制备方法 | 第17-19页 |
| ·氢化非晶硅薄膜的掺杂 | 第19-21页 |
| ·氢化非晶硅薄膜的不稳定性 | 第21-25页 |
| ·氢化非晶硅薄膜的应用 | 第25-26页 |
| ·本论文的主要工作 | 第26-30页 |
| ·选题依据 | 第26-28页 |
| ·主要研究内容 | 第28页 |
| ·技术路线 | 第28页 |
| ·论文的内容安排 | 第28-30页 |
| 第二章 薄膜制备及表征方法 | 第30-41页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积装置 | 第30-31页 |
| ·氢化非晶硅薄膜生长机理 | 第31-33页 |
| ·薄膜样品制备及处理 | 第33-34页 |
| ·PECVD法沉积氢化非晶硅薄膜 | 第33-34页 |
| ·蒸镀金属电极 | 第34页 |
| ·氢化非晶硅薄膜后处理 | 第34页 |
| ·薄膜性能表征方法 | 第34-41页 |
| ·原子力显微镜法 | 第34-35页 |
| ·激光喇曼光谱法 | 第35-36页 |
| ·X射线光电子能谱法 | 第36页 |
| ·暗电导率测试法 | 第36-37页 |
| ·椭圆偏振光法 | 第37-38页 |
| ·傅里叶变换红外光谱法 | 第38-39页 |
| ·电子自旋共振分析法 | 第39-40页 |
| ·扫描电子显微镜分析法 | 第40-41页 |
| 第三章 氢化非晶硅薄膜制备与性能表征 | 第41-65页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·基片温度对a-Si:H薄膜结构和性能的影响 | 第41-47页 |
| ·表面形貌 | 第42页 |
| ·喇曼光谱 | 第42-45页 |
| ·电学性能 | 第45-46页 |
| ·电子自旋共振 | 第46-47页 |
| ·气体温度对a-Si:H薄膜结构和性能的影响 | 第47-53页 |
| ·表面形貌 | 第47-48页 |
| ·喇曼光谱 | 第48-51页 |
| ·电学性能 | 第51-53页 |
| ·电子自旋共振 | 第53页 |
| ·氮掺杂对a-Si:H薄膜结构和性能的影响 | 第53-61页 |
| ·表面形貌 | 第54-55页 |
| ·薄膜成分 | 第55-59页 |
| ·喇曼光谱 | 第59-60页 |
| ·电学性能 | 第60-61页 |
| ·a-Si:H薄膜电学性能的不稳定性 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第四章 氢化非晶硅薄膜H含量及Si-H组态研究 | 第65-84页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·H含量的计算 | 第66-68页 |
| ·基片温度对H含量和Si-H组态的影响 | 第68-71页 |
| ·气体温度对H含量和Si-H组态的影响 | 第71-75页 |
| ·N掺杂薄膜的FTIR表征 | 第75-76页 |
| ·热处理对H含量及Si-H组态的影响 | 第76-81页 |
| ·结构因子与H含量、键角偏移量及电学性能的关系 | 第81-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第五章 氢化非晶硅薄膜的椭圆偏振法研究 | 第84-104页 |
| ·引言 | 第84页 |
| ·基本原理 | 第84-91页 |
| ·物理模型 | 第91-93页 |
| ·反射法和透射法测量的比较研究 | 第93-95页 |
| ·a-Si:H薄膜微结构的椭偏法研究 | 第95-103页 |
| ·沉积速率 | 第95-97页 |
| ·薄膜微结构 | 第97-101页 |
| ·光学带隙 | 第101-103页 |
| ·本章小结 | 第103-104页 |
| 第六章 氢化非晶硅薄膜的电子束辐照效应 | 第104-124页 |
| ·引言 | 第104页 |
| ·电子束辐照对a-Si:H薄膜结构的影响 | 第104-110页 |
| ·Si-H键断裂 | 第104-108页 |
| ·非晶网络有序程度变化 | 第108-110页 |
| ·电子束辐照对a-Si:H薄膜电学性能的影响 | 第110-114页 |
| ·电子束辐照a-Si:H薄膜的纵向深度剖析 | 第114-119页 |
| ·薄膜纵向电学性能的变化 | 第115-116页 |
| ·薄膜纵向非晶结构有序程度的变化 | 第116-119页 |
| ·入射电子能量对a-Si:H薄膜的影响 | 第119-122页 |
| ·对薄膜暗电导率的影响 | 第119-120页 |
| ·对薄膜非晶网络结构的影响 | 第120-122页 |
| ·本章小结 | 第122-124页 |
| 第七章 结论与展望 | 第124-127页 |
| ·全文工作总结 | 第124-125页 |
| ·本文的主要创新点 | 第125-126页 |
| ·展望 | 第126-127页 |
| 致谢 | 第127-128页 |
| 参考文献 | 第128-146页 |
| 攻读博士学位期间研究成果 | 第146-147页 |
