| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-21页 |
| ·硅基薄膜的研究历史和现状 | 第8-10页 |
| ·硅基薄膜的基本理论 | 第10-12页 |
| ·非晶半导体结构的理论模型 | 第10-11页 |
| ·氢化非晶硅薄膜的结构 | 第11页 |
| ·氢化非晶硅薄膜中氢的作用 | 第11-12页 |
| ·杂质引起硅基薄膜的缺陷态 | 第12-14页 |
| ·磷引起的缺陷态 | 第12-13页 |
| ·硼引起的缺陷态 | 第13页 |
| ·氧引起的缺陷态 | 第13页 |
| ·其他元素引起的缺陷态 | 第13-14页 |
| ·硅基薄膜的主要应用 | 第14-17页 |
| ·氢化非晶硅薄膜的主要应用 | 第14-16页 |
| ·多晶硅、微晶硅、纳米硅薄膜的主要应用 | 第16-17页 |
| ·本论文的研究内容和目的 | 第17页 |
| 参考文献 | 第17-21页 |
| 第二章 硅基薄膜的制备与特性分析 | 第21-36页 |
| ·硅基薄膜的制备方法 | 第21-24页 |
| ·氢化非晶硅薄膜的制备方法 | 第21-23页 |
| ·多晶硅、微晶硅、纳米硅薄膜的制备方法 | 第23-24页 |
| ·硅基薄膜结构特性分析 | 第24-32页 |
| ·傅立叶变换红外光谱分析法 | 第24-27页 |
| ·紫外-可见光光谱法(U-V spectrum) | 第27-28页 |
| ·直流电导分析 | 第28-30页 |
| ·X射线衍射谱(XRD)分析 | 第30-31页 |
| ·拉曼散射光谱技术 | 第31-32页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)与原子力显微镜(AFM)分析 | 第32页 |
| 参考文献 | 第32-36页 |
| 第三章 PECVD法制备硅基薄膜及氢的作用 | 第36-47页 |
| ·等离子体沉积的化学反应及氢化非晶硅薄膜生长机理 | 第36-38页 |
| ·一级反应 | 第36-37页 |
| ·二级反应 | 第37-38页 |
| ·膜的生长反应 | 第38页 |
| ·氢对硅基薄膜的作用 | 第38-42页 |
| ·非晶硅中氢的态密度 | 第38-39页 |
| ·氢含量及硅氢键合模式与硅基薄膜晶化的关系 | 第39页 |
| ·氢稀释对硅基薄膜结构和性能的影响 | 第39-42页 |
| ·实验设备 | 第42-44页 |
| ·样品制备 | 第44-45页 |
| ·衬底清洗 | 第44-45页 |
| ·薄膜制备 | 第45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第四章 样品分析与表征 | 第47-79页 |
| ·温度对硅基薄膜中氢含量及键合模式的影响 | 第47-72页 |
| ·样品制备工艺条件 | 第47页 |
| ·硅基薄膜红外透射谱分析 | 第47-55页 |
| ·硅基薄膜光学性能与紫外-可见光谱分析 | 第55-65页 |
| ·硅基硅薄膜的电学性能与静电计分析 | 第65-69页 |
| ·硅基硅薄膜的X射线衍射(XRD)分析 | 第69-70页 |
| ·硅基薄膜的能谱(EDS)分析 | 第70-71页 |
| ·小结 | 第71-72页 |
| ·氢稀释对硅基薄膜结构和性能的影响 | 第72-77页 |
| ·样品制备工艺条件 | 第72页 |
| ·实验结果与分析 | 第72-76页 |
| ·小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第五章 结论 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81页 |