| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-27页 |
| ·论文选题背景 | 第11-12页 |
| ·高温超导体的意义及应用 | 第11-12页 |
| ·高温超导体基片的研究现状 | 第12-13页 |
| ·单晶MgO材料的研究现状 | 第13-19页 |
| ·单晶MgO材料的特性 | 第13-15页 |
| ·单晶MgO基片的制造工艺 | 第15-18页 |
| ·单晶MgO基片抛光加工的研究现状 | 第18-19页 |
| ·硬脆晶体材料的抛光加工技术 | 第19-24页 |
| ·化学机械抛光技术及其研究现状 | 第20-24页 |
| ·化学机械抛光技术的特点 | 第24页 |
| ·本课题的来源、研究目的与意义 | 第24-25页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第25-27页 |
| 2 单晶MgO基片化学机械抛光材料去除机理 | 第27-53页 |
| ·抛光液中磨料对材料去除率的影响 | 第27-33页 |
| ·磨料种类的选取 | 第27-28页 |
| ·二氧化硅磨料特性对材料去除的影响 | 第28-33页 |
| ·抛光液中化学成分对材料去除率的影响 | 第33-36页 |
| ·无机酸对材料去除率的影响 | 第34-35页 |
| ·有机酸对材料去除率的影响 | 第35-36页 |
| ·化学机械抛光过程中的材料去除机理 | 第36-48页 |
| ·无机酸在化学机械抛光过程的作用 | 第36-37页 |
| ·有机酸在化学机械抛光过程的作用 | 第37-39页 |
| ·含磷酸的抛光液抛光过程中材料去除机理 | 第39-48页 |
| ·单晶MgO基片抛光参数的合理选择 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 3 单晶MgO基片化学机械抛光过程中表面形貌变化规律 | 第53-78页 |
| ·不同化学试剂对表面形貌的影响 | 第53-63页 |
| ·不同磨料粒度对表面形貌的影响 | 第63-66页 |
| ·不同磨料浓度对表面形貌的影响 | 第66-70页 |
| ·不同抛光液抛光单晶MgO基片表面形成机理 | 第70-77页 |
| ·盐酸或硫酸抛光液 | 第73-74页 |
| ·HEDP或ATMP抛光液 | 第74-76页 |
| ·磷酸抛光液 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 4 单晶MgO基片化学机械抛光过程中表面缺陷生成和去除机理 | 第78-104页 |
| ·凹坑缺陷在化学机械抛光过程中的生成和去除机理 | 第78-92页 |
| ·样品的制备 | 第78-80页 |
| ·SiO_2磨料抛光试验研究 | 第80-83页 |
| ·单晶MgO基片表面凹坑缺陷的生成和去除机理 | 第83-92页 |
| ·划痕缺陷在单晶MgO基片抛光过程中的去除机理 | 第92-102页 |
| ·样品的制备 | 第94-95页 |
| ·单晶MgO基片表面划痕去除试验研究 | 第95-99页 |
| ·单晶MgO基片表面划痕去除原理 | 第99-102页 |
| ·本章小结 | 第102-104页 |
| 5 单晶MgO薄基片化学机械抛光工艺研究 | 第104-121页 |
| ·单晶MgO基片翘曲变形试验研究 | 第106-114页 |
| ·粘片工艺对单晶MgO基片翘曲变形的影响 | 第109-111页 |
| ·单面研磨抛光工艺对单晶MgO基片翘曲变形的影响 | 第111-114页 |
| ·单面研磨抛光过程中单晶MgO基片翘曲变形机理分析 | 第114-117页 |
| ·单面研磨抛光工艺的改进 | 第117-120页 |
| ·本章小结 | 第120-121页 |
| 6 结论与展望 | 第121-124页 |
| ·结论 | 第121-122页 |
| ·进一步工作展望 | 第122-124页 |
| 参考文献 | 第124-131页 |
| 创新点摘要 | 第131-132页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文和申请专利情况 | 第132-133页 |
| 致谢 | 第133-136页 |
