| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| 1.1 GaN基半导体激光器简述 | 第13-14页 |
| 1.2 GaN基光栅外腔可调谐激光器的研究意义 | 第14-15页 |
| 1.3 GaN基光栅外腔半导体激光器的应用 | 第15-17页 |
| 1.3.1 大容量全息数据存储 | 第15-16页 |
| 1.3.2 气体探测 | 第16页 |
| 1.3.3 高精度光谱测试 | 第16-17页 |
| 1.3.4 光学倍频 | 第17页 |
| 1.4 GaN基光栅外腔可调谐激光器的研究现状 | 第17-20页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 光栅外腔可调谐激光器基本理论介绍 | 第21-33页 |
| 2.1 半导体激光器工作原理 | 第21-25页 |
| 2.1.1 粒子数反转条件 | 第21-23页 |
| 2.1.2 光学谐振腔 | 第23-25页 |
| 2.2 光栅外腔可调谐激光器的工作原理 | 第25-30页 |
| 2.2.1 基本结构 | 第25-27页 |
| 2.2.2 光栅外腔半导体激光器的模式选择 | 第27-29页 |
| 2.2.3 光栅外腔半导体激光器线宽压窄原理 | 第29-30页 |
| 2.2.4 光栅外腔半导体激光器波长调谐原理 | 第30页 |
| 2.3 光栅外腔激光器的重要性能参数 | 第30-32页 |
| 2.3.1 输出光功率 | 第30-31页 |
| 2.3.2 阈值电流 | 第31页 |
| 2.3.3 边模抑制比 | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 Littrow型蓝光大功率GaN基光栅外腔激光器研究 | 第33-49页 |
| 3.1 Littrow型外腔激光器的基本结构 | 第33-35页 |
| 3.2 增益器件结平面相对于光栅刻线不同放置构型对外腔激光器性能的影响 | 第35-41页 |
| 3.2.1 两种放置构型的结构差异 | 第35-36页 |
| 3.2.2 两种放置构型的性能比较 | 第36-38页 |
| 3.2.3 增益器件结平面与光栅刻线平行放置构型的性能研究 | 第38-41页 |
| 3.3 衍射光栅参数对大功率GaN基光栅外腔激光器性能的影响 | 第41-47页 |
| 3.3.1 衍射光栅的参数选择 | 第41-42页 |
| 3.3.2 光栅参数对外腔激光器性能的影响 | 第42-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 Littman型蓝光大功率GaN基光栅外腔激光器研究 | 第49-66页 |
| 4.1 Littman结构光栅外腔激光器结构设计 | 第49-53页 |
| 4.1.1 Littman结构光栅外腔激光器元件选择 | 第49-51页 |
| 4.1.2 Littman结构外腔激光器中光栅衍射光束分析 | 第51-53页 |
| 4.2 35度入射角的外腔激光器性能 | 第53-56页 |
| 4.3 60度入射角的外腔激光器性能 | 第56-59页 |
| 4.4 不同入射角度Littman外腔激光器性能对比 | 第59-62页 |
| 4.5 Littman与Littrow结构外腔激光器性能比较 | 第62-65页 |
| 4.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 硕士期间研究成果 | 第74页 |
