| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-33页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 阻变存储器的阻变机制 | 第12-18页 |
| 1.2.1 离子效应 | 第12-15页 |
| 1.2.2 电子效应 | 第15-17页 |
| 1.2.3 热效应 | 第17-18页 |
| 1.3 WO_3的性能与应用 | 第18-22页 |
| 1.3.1 WO_3的结构与性能 | 第19-20页 |
| 1.3.2 WO_3在阻变存储器方面的应用 | 第20-22页 |
| 1.4 A_xWO_3的性质与应用 | 第22-29页 |
| 1.4.1 A_xWO_3纳米线的制备 | 第23-24页 |
| 1.4.2 A_xWO_3的性能 | 第24-25页 |
| 1.4.3 A_xWO_3中金属-绝缘体相变 | 第25-27页 |
| 1.4.4 A_xWO_3在阻变存储器应用方面的现状 | 第27-29页 |
| 1.5 本论文选题的动机及研究内容 | 第29-33页 |
| 第二章 钾钨青铜纳米线的可控制备和X-ray定量分析研究 | 第33-49页 |
| 2.1 研究背景 | 第33-34页 |
| 2.2 实验过程 | 第34-35页 |
| 2.2.1 实验设备与试剂 | 第34页 |
| 2.2.2 材料制备 | 第34-35页 |
| 2.2.3 材料表征 | 第35页 |
| 2.3 结果与分析 | 第35-47页 |
| 2.3.1 K_xWO3纳米线表征 | 第35-39页 |
| 2.3.2 在180℃下合成K_(0.26)WO_3纳米线的定量分析 | 第39-43页 |
| 2.3.3 在240℃下合成K_2OW_7O_(21)纳米线的定量分析 | 第43-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第三章 钠钨青铜纳米线的可控制备及其晶格应力调控研究 | 第49-63页 |
| 3.1 研究背景 | 第49-50页 |
| 3.2 实验过程 | 第50页 |
| 3.3 结果与分析 | 第50-61页 |
| 3.3.1 Na_xWO_3纳米线表征 | 第50-53页 |
| 3.3.2 Na_xWO_3纳米线定量分析 | 第53-57页 |
| 3.3.3 Ar~+离子轰击 | 第57-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 钠钨青铜纳米线的阻变行为研究 | 第63-75页 |
| 4.1 研究背景 | 第63-64页 |
| 4.2 实验过程 | 第64-66页 |
| 4.2.1 器件制备 | 第64-65页 |
| 4.2.2 器件测试 | 第65-66页 |
| 4.3 结果与分析 | 第66-73页 |
| 4.3.1 电场作用下钠离子的迁移 | 第66-67页 |
| 4.3.2 阻变机制的转变 | 第67-68页 |
| 4.3.3 可逆重构的整流特性 | 第68-73页 |
| 4.4 本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 钠钨青铜纳米线中电流诱导的绝缘体-金属相变 | 第75-87页 |
| 5.1 研究背景 | 第75-76页 |
| 5.2 实验过程 | 第76-77页 |
| 5.2.1 器件制备 | 第76-77页 |
| 5.2.2 器件测试 | 第77页 |
| 5.3 结果与分析 | 第77-85页 |
| 5.3.1 不同偏压下器件的I-V曲线 | 第77-79页 |
| 5.3.2 绝缘体-金属相变 | 第79-83页 |
| 5.3.3 导电丝瓦解 | 第83-85页 |
| 5.4 本章小结 | 第85-87页 |
| 第六章 总结与展望 | 第87-91页 |
| 6.1 本文结论 | 第87-88页 |
| 6.2 工作展望 | 第88-91页 |
| 参考文献 | 第91-115页 |
| 附录: 攻读学位期间论文发表情况 | 第115-117页 |
| 致谢 | 第117-119页 |
