| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 符号说明 | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-33页 |
| 1.1 无机膜概述 | 第13-15页 |
| 1.1.1 无机膜的发展 | 第13-14页 |
| 1.1.2 无机膜的分类 | 第14页 |
| 1.1.3 无机膜的特点 | 第14-15页 |
| 1.2 沸石分子筛膜的概述 | 第15-20页 |
| 1.2.1 沸石分子筛膜的合成 | 第15-16页 |
| 1.2.2 分子筛膜的形成机理 | 第16-17页 |
| 1.2.3 分子筛膜的改性 | 第17-18页 |
| 1.2.4 沸石分子筛膜的应用 | 第18-19页 |
| 1.2.5 MFI型沸石分子筛膜的研究现状 | 第19-20页 |
| 1.3 沸石分子筛膜渗透蒸发技术概述 | 第20-25页 |
| 1.3.1 渗透蒸发分离机理 | 第21-22页 |
| 1.3.2 渗透蒸发传质模型 | 第22-23页 |
| 1.3.3 渗透蒸发中的应用 | 第23-25页 |
| 1.3.3.1 有机物脱水 | 第23-24页 |
| 1.3.3.2 水中分离有机物 | 第24-25页 |
| 1.3.3.3 有机物/有机物分离 | 第25页 |
| 1.4 本课题的研究意义及内容 | 第25-26页 |
| 1.4.1 本课题的研究意义 | 第25页 |
| 1.4.2 本课题的研究内容 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-33页 |
| 第二章 实验过程 | 第33-43页 |
| 2.1 实验原料及仪器设备 | 第33页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第33页 |
| 2.1.2 实验用气体 | 第33页 |
| 2.1.3 仪器及设备 | 第33页 |
| 2.2 氧化铝载体的制备 | 第33-34页 |
| 2.3 分子筛膜的合成过程 | 第34-37页 |
| 2.3.1 原位水热合成法制备Ge-ZSM-5分子筛膜 | 第34-36页 |
| 2.3.2 多次原位水热合成法制备Ge-ZSM-5分子筛膜 | 第36-37页 |
| 2.4 分子筛膜的表征与测试 | 第37-41页 |
| 2.4.1 物理性能表征 | 第37-38页 |
| 2.4.2 渗透蒸发性能测试 | 第38-39页 |
| 2.4.3 渗透蒸发性能评价指标 | 第39-40页 |
| 2.4.4 渗透蒸发主要工艺参数的确定 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第三章 原位水热合成法制备Ge-ZSM-5分子筛膜及其渗透蒸发性能 | 第43-55页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 氧化铝载体的表征 | 第43-45页 |
| 3.3 Ge-ZSM-5分子筛膜的制备和表征 | 第45-49页 |
| 3.3.1 Ge-ZSM-5分子筛膜的制备 | 第45页 |
| 3.3.2 Ge-ZSM-5分子筛膜的XRD谱图 | 第45-46页 |
| 3.3.3 Ge-ZSM-5分子筛膜的SEM照片 | 第46-47页 |
| 3.3.4 Ge-ZSM-5分子筛膜的EDX表征 | 第47页 |
| 3.3.5 接触角 | 第47-48页 |
| 3.3.6 Ge-ZSM-5分子筛膜完备性测试 | 第48-49页 |
| 3.3.7 渗透蒸发实验 | 第49页 |
| 3.5 结果与讨论 | 第49-53页 |
| 3.5.1 不同锗含量的Ge-ZSM-5分子筛膜对乙醇、乙酸/水渗透蒸发 | 第49-50页 |
| 3.5.2 Ge-ZSM-5分子筛膜对乙醇/水渗透蒸发 | 第50-51页 |
| 3.5.3 Ge-ZSM-5分子筛膜对乙酸/水渗透蒸发 | 第51-53页 |
| 3.6 小结 | 第53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第四章 二次原位水热合成法制备Ge-ZSM-5分子筛膜及其渗透蒸发性能 | 第55-65页 |
| 4.1 引言 | 第55页 |
| 4.2 二次原位水热合成的Ge-ZSM-5分子筛膜的表征 | 第55-59页 |
| 4.2.1 Si/Ge=100二次原位水热合成的Ge-ZSM-5分子筛膜XRD谱图 | 第55-56页 |
| 4.2.2 Si/Ge=100二次原位水热合成的Ge-ZSM-5分子筛膜SEM照片 | 第56-57页 |
| 4.2.3 Si/Ge=25二次原位水热合成的Ge-ZSM-5分子筛膜XRD谱图 | 第57-58页 |
| 4.2.4 Si/Ge=25二次原位水热合成的Ge-ZSM-5分子筛膜SEM照片 | 第58-59页 |
| 4.3 渗透蒸发结果及讨论 | 第59-62页 |
| 4.3.1 Si/Ge=100二次原位水热合成膜用于低浓度酸渗透蒸发 | 第59-61页 |
| 4.3.2 Si/Ge=25二次原位水热合成膜用于低浓度酸渗透蒸发 | 第61-62页 |
| 4.4 小结 | 第62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 第五章 三次原位水热合成法制备Ge-ZSM-5分子筛膜及其渗透蒸发性能 | 第65-75页 |
| 5.1 引言 | 第65页 |
| 5.2 三次原位水热合成的Ge-ZSM-5分子筛膜的表征 | 第65-69页 |
| 5.2.1 Si/Ge=100三次原位水热合成的Ge-ZSM-5分子筛膜XRD谱图 | 第65-66页 |
| 5.2.2 Si/Ge=100三次原位水热合成的Ge-ZSM-5分子筛膜SEM照片 | 第66-68页 |
| 5.2.3 Si/Ge =25三次原位水热合成的Ge-ZSM-5分子筛膜XRD谱图 | 第68-69页 |
| 5.2.4 Si/Ge=25三次原位水热合成的Ge-ZSM-5分子筛膜SEM照片 | 第69页 |
| 5.3 渗透蒸发结果及讨论 | 第69-72页 |
| 5.3.1 Si/Ge=100三次原位水热合成膜用于低浓度乙酸渗透蒸发 | 第69-70页 |
| 5.3.2 Si/Ge=100三次原位水热合成膜对不同浓度酸渗透蒸发 | 第70-72页 |
| 5.3.3 Si/Ge=25三次原位水热合成膜用于低浓度乙酸渗透蒸发 | 第72页 |
| 5.4 小结 | 第72-75页 |
| 第六章 结论与展望 | 第75-77页 |
| 6.1 结论 | 第75-76页 |
| 6.2 展望 | 第76-77页 |
| 附录 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第80页 |
