| 中文摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 ZnO材料的发展 | 第9页 |
| 1.3 ZnO的结构 | 第9-13页 |
| 1.3.1 ZnO的晶体结构 | 第9-11页 |
| 1.3.2 ZnO的生长结构 | 第11-12页 |
| 1.3.3 ZnO的能带结构 | 第12-13页 |
| 1.4 ZnO的性质 | 第13-17页 |
| 1.4.1 ZnO的基本性质 | 第13-14页 |
| 1.4.2 ZnO的光学性质 | 第14-15页 |
| 1.4.3 ZnO的电学性质 | 第15-16页 |
| 1.4.4 ZnO的场致发射特性 | 第16-17页 |
| 1.5 ZnO纳米材料的制备方法 | 第17-23页 |
| 1.5.1 气相沉积法 | 第17-20页 |
| 1.5.2 液相法 | 第20-22页 |
| 1.5.3 磁控溅射法 | 第22-23页 |
| 1.6 ZnO材料光电子器件的研究进展 | 第23-27页 |
| 1.6.1 ZnO紫外激光器 | 第23-24页 |
| 1.6.2 ZnO发光二极管 | 第24-25页 |
| 1.6.3 ZnO紫外探测器 | 第25-27页 |
| 1.7 本论文的研究内容 | 第27-29页 |
| 2 ZnO纳米材料的制备与表征 | 第29-41页 |
| 2.1 一维ZnO纳米材料的制备 | 第29-34页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第29页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第29-30页 |
| 2.1.3 实验过程 | 第30-34页 |
| 2.2 ZnO纳米结构的主要表征方法 | 第34-41页 |
| 2.2.1 X射线衍射（XRD） | 第34-35页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜（SEM）及能谱分析仪（EDS） | 第35-37页 |
| 2.2.3 原子力显微镜（AFM） | 第37-38页 |
| 2.2.4 透射电子显微镜（TEM） | 第38页 |
| 2.2.5 电流-电压特性测试及设备 | 第38-39页 |
| 2.2.6 比表面积及孔径分析仪 | 第39-41页 |
| 3 基于柱状电极的ZnO纳米网的制备及生长时间、压强以及碳源对其生长的影响 | 第41-53页 |
| 3.1 引言 | 第41-42页 |
| 3.2 生长时间和压强对ZnO纳米线的生长的影响 | 第42-44页 |
| 3.3 碳源对ZnO纳米线的生长的影响 | 第44-46页 |
| 3.4 碳源影响ZnO纳米结构的机理分析 | 第46-48页 |
| 3.5 金刚石的比例对ZnO纳米线的生长的影响 | 第48-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-53页 |
| 4 基于柱状电极的ZnO纳米网的生长机理及紫外光传感性能研究45 | 第53-61页 |
| 4.1 引言 | 第53-54页 |
| 4.2 基于柱状电极的横向ZnO纳米网电路的生长机理 | 第54-58页 |
| 4.3 基于柱状电极的ZnO纳米网电路的紫外光传感性能 | 第58-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 5 基于条状电极的纳米桥接电路的紫外光传感器研究 | 第61-65页 |
| 5.1 引言 | 第61-62页 |
| 5.2 基于条状电极的横向ZnO纳米桥接电路的生长 | 第62页 |
| 5.3 基于条状电极的ZnO纳米线桥接电路的紫外光传感特性 | 第62-64页 |
| 5.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 6 全文结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-81页 |
| 附录 | 第81页 |
| A. 攻读硕士期间发表的论文 | 第81页 |
