| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 拉曼散射 | 第9-11页 |
| 1.1.1 拉曼光谱学的发展 | 第9-10页 |
| 1.1.2 拉曼散射原理 | 第10-11页 |
| 1.2 低维半导体材料拉曼散射研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 二维半导体材料硒化铟及其研究现状 | 第12-14页 |
| 1.4 论文结构 | 第14-15页 |
| 第二章 理论基础及计算方法 | 第15-22页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第15-18页 |
| 2.1.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第15-16页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第16页 |
| 2.1.3 局域密度近似(LDA) | 第16-17页 |
| 2.1.4 赝势法中的模守恒赝势 | 第17-18页 |
| 2.2 一阶响应拉曼计算原理 | 第18页 |
| 2.3 拉曼散射退偏比 | 第18-19页 |
| 2.4 单层硒化铟拉曼散射偏振性的理论计算 | 第19-21页 |
| 2.5 计算软件及计算细节 | 第21-22页 |
| 第三章 单层和双层硒化铟二维材料晶格振动及拉曼光谱的研究 | 第22-39页 |
| 3.1 二维材料硒化铟理论模型 | 第22-23页 |
| 3.2 计算硒化铟二维材料拉曼散射光谱 | 第23-29页 |
| 3.2.1 单层硒化铟二维材料声子色散谱 | 第23-25页 |
| 3.2.2 单层硒化铟二维材料拉曼散射 | 第25-27页 |
| 3.2.3 双层硒化铟二维材料拉曼散射 | 第27-29页 |
| 3.3 单层硒化铟二维材料拉曼散射退偏比 | 第29-30页 |
| 3.4 单层硒化铟二维材料拉曼散射光的偏振性 | 第30-39页 |
| 3.4.1 入射光与散射光的偏振平行,且在xy平面 | 第30-32页 |
| 3.4.2 入射光与散射的偏振光垂直,且在xy平面 | 第32-33页 |
| 3.4.3 入射光与散射的偏振光平行,且在xz平面 | 第33-36页 |
| 3.4.4 入射光与散射光的偏振垂直,且在xz平面 | 第36-39页 |
| 第四章 总结与展望 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 攻读硕士期间的学术论文 | 第45页 |
