| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章、绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 半导体纳米结构阵列的研究现状 | 第12-18页 |
| 1.2.1 半导体纳米阵列结构制备方法 | 第12-16页 |
| 1.2.2 半导体纳米阵列结构的器件应用 | 第16-18页 |
| 1.3 本论文的主要内容 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-22页 |
| 第二章、硅纳米阵列结构的制备、表征与光学性质研究 | 第22-34页 |
| 2.1 引言 | 第22-23页 |
| 2.2 硅基纳米阵列结构的制备 | 第23-25页 |
| 2.2.1 纳米小球掩膜刻蚀技术制备纳米阵列结构 | 第23-24页 |
| 2.2.2 金属辅助湿法刻蚀技术制备硅纳米阵列结构 | 第24-25页 |
| 2.3 硅纳米阵列结构的结构表征 | 第25-27页 |
| 2.4 对硅纳米阵列结构光学性质的模拟研究 | 第27-32页 |
| 本章小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章、利用硅纳米阵列结构增强硅量子点/二氧化硅多层膜发光的研究 | 第34-46页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 硅量子点/二氧化硅多层膜的制备 | 第35-37页 |
| 3.3 硅纳米阵列结构增强硅量子点多层膜的光致发光 | 第37-40页 |
| 3.4 基于硅纳米阵列结构的硅量子点多层膜电致发光器件研究 | 第40-43页 |
| 本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第四章、锗纳米阵列结构的制备与近红外光吸收增强 | 第46-63页 |
| 4.1 引言 | 第46-47页 |
| 4.2 锗纳米结构的制备与表征 | 第47-54页 |
| 4.3 锗纳米阵列结构光吸收的模拟分析 | 第54-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第五章、总结与展望 | 第63-66页 |
| 5.1 本论文的主要结论 | 第63-64页 |
| 5.2 展望 | 第64-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
