摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第8-22页 |
1.1 引言 | 第8页 |
1.2 锰氧化物的晶体结构和电子结构 | 第8-11页 |
1.2.1 晶体结构 | 第8-10页 |
1.2.2 电子结构 | 第10-11页 |
1.3 锰氧化物的一些性质 | 第11-15页 |
1.3.1 庞磁电阻效应 | 第11页 |
1.3.2 电荷有序 | 第11-13页 |
1.3.3 电输运性质 | 第13-14页 |
1.3.4 磁有序 | 第14-15页 |
1.4 锰氧化物的理论模型 | 第15-19页 |
1.4.1 双交换作用 | 第15-16页 |
1.4.2 极化子模型 | 第16页 |
1.4.3 相分离理论 | 第16-19页 |
1.5 锰氧化物异质结的研究 | 第19-20页 |
1.6 论文选题思路及主要内容 | 第20-22页 |
第2章 样品制备及测量 | 第22-26页 |
2.1 样品制备 | 第22-24页 |
2.1.1 靶材制备 | 第22页 |
2.1.2 脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)技术及薄膜制备 | 第22-24页 |
2.2 样品测量 | 第24-26页 |
2.2.1 物相分析 | 第24-25页 |
2.2.2 电性能测量 | 第25-26页 |
第3章 电荷有序相变对遂穿效应的影响 | 第26-37页 |
3.1 样品制备与表征 | 第26-27页 |
3.2 测量及分析 | 第27-36页 |
3.2.1 PCMO薄膜的电阻测量与分析 | 第27-30页 |
3.2.2 PCMO/STON异质结的测量与分析 | 第30-36页 |
3.3 本章小结 | 第36-37页 |
第4章 LaALO_3缓冲层对锰氧化物p-n异质结遂穿电流的影响 | 第37-48页 |
4.1 前言 | 第37页 |
4.2 样品制备和结构表征 | 第37-38页 |
4.3 结果和分析 | 第38-46页 |
4.4 本章小结 | 第46-48页 |
第5章总结 | 第48-49页 |
致谢 | 第49-50页 |
参考文献 | 第50-56页 |
附录 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第56页 |