多模多带振荡器研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 选题背景 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 CMOS集成电路工艺 | 第13-14页 |
| 1.4 主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 LC压控振荡器 | 第15-30页 |
| 2.1 振荡器的振荡原理 | 第15-18页 |
| 2.1.1 振荡器的反馈振荡原理 | 第15-16页 |
| 2.1.2 振荡器的负阻振荡原理 | 第16-18页 |
| 2.2 CMOS电容电感振荡器 | 第18-24页 |
| 2.2.1 三端振荡器 | 第18-20页 |
| 2.2.2 交叉耦合振荡器 | 第20-22页 |
| 2.2.3 压控振荡器 | 第22-24页 |
| 2.3 振荡器性能指标 | 第24-25页 |
| 2.4 相位噪声及其模型 | 第25-29页 |
| 2.4.1 相位噪声的定义及影响 | 第25-27页 |
| 2.4.2 振荡器相位噪声模型 | 第27-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 片上无源器件 | 第30-41页 |
| 3.1 螺旋电感 | 第31-38页 |
| 3.1.1 简单螺旋电感 | 第31-32页 |
| 3.1.2 电感损耗 | 第32-33页 |
| 3.1.3 电感Q值定义 | 第33-34页 |
| 3.1.4 螺旋电感的仿真与建模 | 第34-38页 |
| 3.2 CMOS工艺中的电容 | 第38-40页 |
| 3.2.1 MIM电容 | 第38页 |
| 3.2.2 AMOS电容 | 第38-39页 |
| 3.2.3 PMOS电容 | 第39-40页 |
| 3.2.4 CMOS工艺中的电容性能比较 | 第40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 GSM四频段数控振荡器 | 第41-58页 |
| 4.1 GSM振荡器的设计指标 | 第41-42页 |
| 4.2 振荡器的工作模式及电容阵列设计 | 第42-48页 |
| 4.2.1 振荡器的工作模式 | 第42-43页 |
| 4.2.2 电容阵列设计 | 第43-48页 |
| 4.3 振荡器设计 | 第48-53页 |
| 4.3.1 振荡器拓扑结构 | 第48-49页 |
| 4.3.2 噪声电流滤波技术 | 第49-50页 |
| 4.3.3 振荡器电路设计 | 第50-53页 |
| 4.4 振荡器的仿真结果 | 第53-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 三次谐波注入振荡器 | 第58-75页 |
| 5.1 三次谐波注入振荡器理论及变压器参数 | 第58-64页 |
| 5.2 三次谐波注入振荡器的电路设计 | 第64-71页 |
| 5.2.1 振荡器拓扑结构 | 第64-65页 |
| 5.2.2 变压器设计 | 第65-68页 |
| 5.2.3 开关电容阵列设计 | 第68-70页 |
| 5.2.4 振荡器电路 | 第70-71页 |
| 5.3 振荡器仿真结果 | 第71-74页 |
| 5.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 变压器次级开关的振荡器 | 第75-89页 |
| 6.1 振荡器的设计指标 | 第75-76页 |
| 6.2 变压器次级开关振荡器原理与拓扑结构 | 第76-78页 |
| 6.2.1 次级开关的变压器分析 | 第76-77页 |
| 6.2.2 振荡器拓扑结构 | 第77-78页 |
| 6.3 振荡器电路设计 | 第78-84页 |
| 6.3.1 变压器设计 | 第78-80页 |
| 6.3.2 变压器次级开关对振荡器相噪的影响 | 第80-83页 |
| 6.3.3 振荡器的完整电路图 | 第83-84页 |
| 6.4 振荡器电路的仿真结果 | 第84-88页 |
| 6.5 本章小结 | 第88-89页 |
| 第七章 总结与展望 | 第89-91页 |
| 7.1 全文总结 | 第89页 |
| 7.2 CMOS工艺的振荡器展望 | 第89-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-97页 |
| 攻硕期间取得的成果 | 第97-98页 |
