| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 有机电致发光器件的研究进展 | 第11-13页 |
| 1.2 有机电致发光器件的理论基础 | 第13-17页 |
| 1.2.1 有机电致发光器件的发光机理 | 第13-14页 |
| 1.2.2 有机电致发光器件的结构 | 第14-15页 |
| 1.2.3 评价电致发光性能的重要参数 | 第15-17页 |
| 1.3 有机电致发光器件的不同功能层材料 | 第17-20页 |
| 1.3.1 不同功能层材料的选择 | 第17-19页 |
| 1.3.2 有机电致发光器件的空穴注入层 | 第19-20页 |
| 1.4 氧化石墨烯的研究进展 | 第20-24页 |
| 1.4.1 氧化石墨烯在光电器件领域的应用 | 第20-21页 |
| 1.4.2 氧化石墨烯的还原技术 | 第21-22页 |
| 1.4.3 氧化石墨烯的功能化修饰 | 第22-24页 |
| 1.5 课题的提出及研究内容 | 第24-26页 |
| 1.5.1 课题的提出 | 第24页 |
| 1.5.2 课题的研究内容 | 第24-26页 |
| 2 实验原料、试剂及仪器 | 第26-29页 |
| 2.1 实验原料及试剂 | 第26-27页 |
| 2.2 实验仪器设备 | 第27页 |
| 2.3 器件性能测试及薄膜性能分析设备 | 第27-29页 |
| 2.3.1 器件光电性能测试设备 | 第27-28页 |
| 2.3.2 薄膜性能分析设备 | 第28-29页 |
| 3 氧化石墨烯空穴注入层对电致发光性能的影响 | 第29-46页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 氧化石墨烯的厚度对OLED器件性能的影响 | 第29-35页 |
| 3.2.1 器件结构设计 | 第29-30页 |
| 3.2.2 器件制备过程 | 第30-31页 |
| 3.2.3 器件电致发光性能测试与分析 | 第31-34页 |
| 3.2.4 机理分析 | 第34-35页 |
| 3.3 氧化石墨烯的氧化程度对OLED器件性能的影响 | 第35-41页 |
| 3.3.1 器件结构设计 | 第35-36页 |
| 3.3.2 器件制备过程 | 第36页 |
| 3.3.3 器件电致发光性能测试与分析 | 第36-38页 |
| 3.3.4 机理分析 | 第38-41页 |
| 3.4 不同空穴传输层对OLED器件性能的影响 | 第41-44页 |
| 3.4.1 器件结构设计 | 第41页 |
| 3.4.2 器件制备过程 | 第41-42页 |
| 3.4.3 器件电致发光性能测试与分析 | 第42-43页 |
| 3.4.4 机理分析 | 第43-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 4 不同共轭离子化合物掺杂rGO空穴注入层对OLED电致发光性能的影响 | 第46-61页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 N,N-二甲基二吖啶硝酸盐掺杂rGO空穴注入层对OLED器件性能的影响 | 第46-52页 |
| 4.2.1 器件结构设计 | 第46-47页 |
| 4.2.2 器件制备过程 | 第47-48页 |
| 4.2.3 器件电致发光性能测试与分析 | 第48-49页 |
| 4.2.4 机理分析 | 第49-52页 |
| 4.3 N,N-二甲基二吖啶甲基对苯二酸盐掺杂rGO空穴注入层对OLED器件性能的影响 | 第52-59页 |
| 4.3.1 器件结构设计 | 第52页 |
| 4.3.2 器件制备过程 | 第52-53页 |
| 4.3.3 器件电致发光性能测试与分析 | 第53-55页 |
| 4.3.4 机理分析 | 第55-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 5 新型有机-无机杂化钙钛矿发光器件的前期探索 | 第61-69页 |
| 5.1 引言 | 第61-62页 |
| 5.2 长链胺盐的加入对钙钛矿薄膜的影响 | 第62-66页 |
| 5.2.1 甲胺溴酸盐和辛二胺溴酸盐的制备 | 第62-63页 |
| 5.2.2 钙钛矿薄膜的制备 | 第63-64页 |
| 5.2.3 钙钛矿薄膜的表征与测试 | 第64-66页 |
| 5.3 共轭离子化合物掺杂rGO空穴注入层的钙钛矿发光器件性能表征 | 第66-68页 |
| 5.3.1 器件结构设计 | 第66-67页 |
| 5.3.2 电致发光性能测试 | 第67-68页 |
| 5.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 6 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 个人简历 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
