| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 纳米科学概论 | 第9页 |
| 1.2 硫化物半导体纳米材料 | 第9-19页 |
| 1.2.1 硫化物半导体纳米材料的典型结构 | 第9-16页 |
| 1.2.2 硫化物半导体纳米材料的合成方法 | 第16-18页 |
| 1.2.3 硫化物半导体纳米材料的基本性质 | 第18-19页 |
| 1.3 本论文的研究背景和主要研究内容 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 Cu(Ddtc)_2、Cu(Ddtc)_2phen 及 Sb(Ddtc)_3前驱体的制备及表征 | 第24-32页 |
| 2.1 引言 | 第24-27页 |
| 2.2 实验部分 | 第27-28页 |
| 2.2.1 试剂与仪器 | 第27-28页 |
| 2.3 单源前驱体的制备 | 第28页 |
| 2.3.1 Cu(Ddtc)_2的制备 | 第28页 |
| 2.3.2 Cu(Ddtc)_2phen 的制备 | 第28页 |
| 2.3.3 Sb(Ddtc)_3的制备 | 第28页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第28-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 第三章 CuSbS_2、Cu_(12)Sb_4S_(13)、Cu_3SbS_3纳米晶体的制备及表征 | 第32-49页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 实验部分 | 第33页 |
| 3.2.1 试剂与仪器 | 第33页 |
| 3.3 CuSbS_2、Cu_(12)Sb_4S_(13)、Cu_3SbS_3纳米晶体的制备 | 第33-35页 |
| 3.3.1 CuSbS_2纳米片的制备 | 第33-34页 |
| 3.3.2 C_(12)Sb_4S_(13)纳米颗粒的制备 | 第34页 |
| 3.3.3 Cu_3SbS_3纳米片的制备 | 第34-35页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第35-46页 |
| 3.4.1 CuSbS_2纳米片的形貌及结构表征 | 第35-37页 |
| 3.4.2 Cu_(12)Sb_4S_(13)纳米颗粒的形貌及结构表征 | 第37-39页 |
| 3.4.3 Cu_3SbS_3纳米片的形貌及结构表征 | 第39-42页 |
| 3.4.4 反应机理 | 第42-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 第四章 漫反射法测定 Cu-Sb-S 纳米晶体的带隙 | 第49-57页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 实验部分 | 第50页 |
| 4.2.1 试剂与仪器 | 第50页 |
| 4.2.2 漫反射样品的制备 | 第50页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第50-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第五章 Cu-Sb-S 纳米晶体在混合光电器件与电池上的应用 | 第57-66页 |
| 5.1 引言 | 第57-58页 |
| 5.2 实验部分 | 第58-59页 |
| 5.2.1 试剂与仪器 | 第58页 |
| 5.2.2 Cu-Sb-S 纳米晶体/P3HT 混杂光电导器件的制备 | 第58-59页 |
| 5.2.3 Cu-Sb-S 纳米晶体作为负极材料电池的制备及电化学性能测试 | 第59页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第59-63页 |
| 5.3.1 Cu-Sb-S 纳米晶体/P3HT 混杂光电导器件的光电性能研究 | 第59-61页 |
| 5.3.2 Cu-Sb-S 纳米晶体电池的电化学性能研究 | 第61-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 第六章 结论与展望 | 第66-68页 |
| 6.1 结论 | 第66-67页 |
| 6.2 展望 | 第67-68页 |
| 硕士研究生期间的科研成果情况 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
