| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 半导体激光器发展 | 第9-11页 |
| 1.2 量子阱激光器材料的研究进展 | 第11-12页 |
| 1.3 半导体激光器的应用 | 第12-13页 |
| 1.4 论文研究目的和内容 | 第13-15页 |
| 第2章 应变量子阱激光器基本理论 | 第15-25页 |
| 2.1 半导体激光器工作原理简介 | 第15页 |
| 2.2 量子阱的基本理论 | 第15-18页 |
| 2.3 应变对材料性能的影响 | 第18-21页 |
| 2.3.1 应变对带间光吸收的影响 | 第19页 |
| 2.3.2 应变对俄歇复合的影响 | 第19-21页 |
| 2.4 激光器材料选取 | 第21-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 AlGaInAs/InP应变补偿多量子阱激光器设计 | 第25-45页 |
| 3.1 应变补偿理论 | 第25页 |
| 3.2 量子阱理论设计 | 第25-38页 |
| 3.2.1 量子阱材料性能参数计算 | 第26-28页 |
| 3.2.2 量子阱能带计算 | 第28-29页 |
| 3.2.3 应变对禁带宽度的影响 | 第29-34页 |
| 3.2.4 应变量子阱能带带阶的计算 | 第34-36页 |
| 3.2.5 应变量子阱发射波长的确定 | 第36-38页 |
| 3.3 激光器光栅的设计 | 第38-42页 |
| 3.4 应变量子阱激光器的结构 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 激光器仿真研究 | 第45-53页 |
| 4.1 器件基本结构的软件仿真 | 第45-49页 |
| 4.1.1 软件介绍 | 第45页 |
| 4.1.2 仿真条件 | 第45页 |
| 4.1.3 仿真过程及结果 | 第45-49页 |
| 4.2 应变补偿对激光器性能的影响 | 第49-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 1310nm量子阱激光器外延生长及器件测试 | 第53-67页 |
| 5.1 MOCVD外延生长概述 | 第53-56页 |
| 5.1.1 MOCVD概述 | 第53页 |
| 5.1.2 MOCVD优缺点 | 第53-54页 |
| 5.1.3 MOCVD技术难点 | 第54-55页 |
| 5.1.4 MOCVD生长过程 | 第55-56页 |
| 5.2 外延生长有源区及光栅层制作 | 第56-60页 |
| 5.2.1 有源区外延生长 | 第56-58页 |
| 5.2.2 光栅层制作 | 第58-60页 |
| 5.3 外延材料参数测试 | 第60-62页 |
| 5.3.1 X射线双晶衍射技术 | 第61-62页 |
| 5.3.2 光荧光技术 | 第62页 |
| 5.4 器件性能测试 | 第62-65页 |
| 5.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第6章 结论与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及专利 | 第75页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第75页 |