| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 热电材料研究背景及意义 | 第10-15页 |
| 1.1.1 热电效应 | 第10-12页 |
| 1.1.2 热电材料研究背景及意义 | 第12-15页 |
| 1.2 热电优值及提高热电优值的方法 | 第15-16页 |
| 1.2.1 热电优值ZT | 第15页 |
| 1.2.2 提高热电优值的方法 | 第15-16页 |
| 1.3 低维热电材料的发展 | 第16-20页 |
| 1.3.1 二维热电材料的兴起 | 第16-18页 |
| 1.3.2 III-V族材料的热电研究 | 第18页 |
| 1.3.3 Ⅲ-Ⅵ族材料的热电研究 | 第18-20页 |
| 1.4 论文结构安排 | 第20-22页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第22-32页 |
| 2.1 第一性原理与密度泛函理论 | 第22-26页 |
| 2.1.1 玻恩-奥本海默近似(BO近似) | 第23页 |
| 2.1.2 量子化学:Hartree-Fock | 第23-24页 |
| 2.1.3 汤姆斯-费米模型(TF) | 第24-25页 |
| 2.1.4 Hohenbeg-Kohn(HK)定理 | 第25页 |
| 2.1.5 Kohn-Sham定理(KS) | 第25-26页 |
| 2.2 玻尔兹曼输运理论 | 第26-30页 |
| 2.2.1 玻尔兹曼方程 | 第26-27页 |
| 2.2.2 弛豫时间近似 | 第27-28页 |
| 2.2.3 BoltzTrapP | 第28-29页 |
| 2.2.4 ShengBTE | 第29-30页 |
| 2.3 等轴应力 | 第30页 |
| 2.4 计算参数设置 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 二维五族铟化物(ln-VA) | 第32-42页 |
| 3.1 In-VA的理论模型 | 第32-34页 |
| 3.2 In-VA的电子结构性质 | 第34-37页 |
| 3.2.1 In-VA的能带结构 | 第34-35页 |
| 3.2.2 In-VA的态密度 | 第35-36页 |
| 3.2.3 In-VA的声子谱及声子态密度 | 第36-37页 |
| 3.3 In-VA的热电性质 | 第37-41页 |
| 3.3.1 In-VA的输运性质 | 第37-39页 |
| 3.3.2 In-VA的声子热导 | 第39页 |
| 3.3.3 In-VA的热电优值ZT | 第39-40页 |
| 3.3.4 In-VA的热电性质随温度变化趋势 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 应力调制的二维硒化铟(InSe) | 第42-52页 |
| 4.1 InSe的理论模型 | 第42-43页 |
| 4.2 施加应力的InSe的电子结构性质 | 第43-47页 |
| 4.2.1 InSe的能带结构 | 第43-45页 |
| 4.2.2 InSe的电子有效质量 | 第45-46页 |
| 4.2.3 InSe的声子谱 | 第46-47页 |
| 4.3 施加应力的InSe的热电性质 | 第47-51页 |
| 4.3.1 InSe的输运性质 | 第47-49页 |
| 4.3.2 InSe的晶格热导 | 第49-50页 |
| 4.3.3 InSe的热电优值 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 论文的总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 总结 | 第52页 |
| 5.2 展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第67页 |