| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 符号说明 | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 非线性光学材料的应用及意义 | 第12页 |
| 1.2 光学非线性吸收特性简介 | 第12-14页 |
| 1.3 调Q激光器介绍 | 第14-16页 |
| 1.4 Bi:GaAs的研究背景与现状 | 第16-18页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 Z扫描实验技术与GaAs被动调Q理论分析 | 第19-25页 |
| 2.1 Z扫描实验技术介绍 | 第19-22页 |
| 2.1.1 实验原理和装置 | 第19-20页 |
| 2.1.2 开孔Z扫描拟合方程 | 第20-22页 |
| 2.2 GaAs被动调Q理论分析 | 第22-24页 |
| 2.2.1 GaAs在1064nm处的非线性吸收特性的分析 | 第22-23页 |
| 2.2.2 被动调Q激光器速率方程 | 第23-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 不同注入条件的掺Bi砷化镓的1um波段被动调Q激光特性研究 | 第25-37页 |
| 3.1 引言 | 第25-26页 |
| 3.2 纯GaAs材料和Bi:GaAs材料的制备和表征 | 第26-29页 |
| 3.3 实验装置 | 第29-30页 |
| 3.4 实验结果与分析 | 第30-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 Bi:GaAs材料的非线性吸收特性的研究 | 第37-48页 |
| 4.1 引言 | 第37-38页 |
| 4.2 单光束开孔Z扫描实验装置 | 第38页 |
| 4.3 实验结果 | 第38-47页 |
| 4.3.1 纳秒激光开孔Z扫描实验 | 第39-44页 |
| 4.3.2 飞秒激光开孔Z扫描实验 | 第44-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第48-49页 |
| 5.2 展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 攻读硕士研究生期间研究成果 | 第57-58页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第58页 |
