| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 超薄膜中的巨磁电阻效应(GMR)与隧道磁电阻效应(TMR) | 第9-12页 |
| 1.2 磁性随机存储器(MRAM) | 第12-15页 |
| 1.3 垂直各向异性超薄膜的研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4 论文研究目的 | 第17-18页 |
| 第二章 薄膜制备与测试方法 | 第18-36页 |
| 2.1 薄膜制备 | 第18-19页 |
| 2.2 薄膜生长理论 | 第19-26页 |
| 2.2.1 薄膜形核过程 | 第19-23页 |
| 2.2.2 薄膜生长过程 | 第23-26页 |
| 2.3 磁控溅射 | 第26-28页 |
| 2.4 薄膜表征 | 第28-36页 |
| 2.4.1 薄膜厚度和形貌的测量 | 第28-31页 |
| 2.4.2 薄膜微结构的表征 | 第31-32页 |
| 2.4.3 薄膜磁性的表征 | 第32-36页 |
| 第三章 垂直各向异性CoFeB超薄膜的制备与磁性 | 第36-55页 |
| 3.1 磁性层厚度对薄膜垂直各向异性的影响 | 第36-40页 |
| 3.2 重金属/CoFeB/MgO/Ta结构中重金属对薄膜磁性的影响 | 第40-53页 |
| 3.2.1 不同重金属层对薄膜磁性的影响 | 第40-48页 |
| 3.2.2 重金属衬底层生长状况对薄膜磁性的影响 | 第48-52页 |
| 3.2.3 小结 | 第52-53页 |
| 3.3 薄膜生长顺序对薄膜垂直各向异性的影响 | 第53-55页 |
| 第四章 Co/Ni多层薄膜的磁性 | 第55-72页 |
| 4.1 衬底层对Co/Ni多层膜垂直各向异性的影响 | 第55-64页 |
| 4.1.1 不同衬底层制备具有垂直各向异性的Co/Ni多层膜 | 第55-64页 |
| 4.1.2 小结 | 第64页 |
| 4.2 磁性层对多层膜垂直各向异性的影响 | 第64-72页 |
| 4.2.1 Co/Ni多层膜磁性层变化对薄膜磁性的影响 | 第64-67页 |
| 4.2.2 Co/Ni多层膜磁性层变化对薄膜磁畴结构的影响 | 第67-70页 |
| 4.2.3 小结 | 第70-72页 |
| 第五章 总结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 在学期间的研究成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
