| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 晶体Ge材料的制备及其应用 | 第9-14页 |
| 1.2.1 Si基Ge量子点 | 第9-11页 |
| 1.2.2 Si基Ge薄膜 | 第11-14页 |
| 1.3 课题组前期晶体Ge材料的生长研究 | 第14-20页 |
| 1.3.1 离子束溅射Ge/Si量子点 | 第15-18页 |
| 1.3.2 磁控溅射Ge薄膜 | 第18-20页 |
| 1.4 论文的主要工作和创新点 | 第20-21页 |
| 第二章 材料生长设备及表征技术概述 | 第21-29页 |
| 2.1 FJL560Ⅲ型超高真空磁控与离子束联合溅射设备 | 第21-23页 |
| 2.1.1 离子束溅射设备 | 第21-22页 |
| 2.1.2 磁控溅射设备 | 第22-23页 |
| 2.2 材料表征技术 | 第23-26页 |
| 2.2.1 表面原子力显微镜(AFM) | 第23-24页 |
| 2.2.2 拉曼光谱仪(Raman) | 第24页 |
| 2.2.3 X射线衍射(XRD) | 第24-25页 |
| 2.2.4 UV-Vis-NIR分光光度计 | 第25-26页 |
| 2.2.5 电化学工作站 | 第26页 |
| 2.3 基片清洗 | 第26-29页 |
| 2.3.1 去离子水机 | 第26-27页 |
| 2.3.2 Si片的清洗 | 第27页 |
| 2.3.3 Ge片的清洗 | 第27-29页 |
| 第三章 离子束溅射Si基Ge量子点的光学性质研究 | 第29-37页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 实验设计 | 第29-30页 |
| 3.3 结果讨论与分析 | 第30-37页 |
| 3.3.1 离子束溅射Si基Ge量子点的光学性质研究 | 第30-33页 |
| 3.3.2 Ge量子点的改性 | 第33-37页 |
| 第四章 低温-高温两步法Ge薄膜的生长及其光学性质研究 | 第37-43页 |
| 4.1 引言 | 第37-38页 |
| 4.2 实验设计 | 第38-39页 |
| 4.3 结果讨论与分析 | 第39-43页 |
| 4.3.1 低温-高温两步法Ge薄膜微结构分析 | 第39-41页 |
| 4.3.2 两步法Ge薄膜红外吸收测试 | 第41-43页 |
| 第五章 高温退火对低温Ge薄膜微结构和光学性质的影响研究 | 第43-52页 |
| 5.1 引言 | 第43页 |
| 5.2 实验设计 | 第43-44页 |
| 5.3 结果讨论与分析 | 第44-52页 |
| 5.3.1 高温退火对低温Ge薄膜微结构的影响 | 第44-50页 |
| 5.3.2 退火过程中的生长机制 | 第50页 |
| 5.3.3 高温退火对低温Ge薄膜红外吸收的影响 | 第50-52页 |
| 第六章 总结与展望 | 第52-60页 |
| 6.1 研究工作获得的主要结论 | 第52-53页 |
| 6.2 研究工作展望 | 第53-60页 |
| 参考文献 | 第60-70页 |
| 附录 攻读硕士期间获得的成果和奖励 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
