| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 扫描电子显微分析 | 第12-22页 |
| 1.1.1 SEM简介 | 第12-14页 |
| 1.1.2 电子与固体相互作用 | 第14-17页 |
| 1.1.3 SEM用于样品三维数据重构 | 第17-19页 |
| 1.1.4 SEM中的荷电效应 | 第19-22页 |
| 1.2 Monte Carlo方法在扫描电镜成像模拟中的应用 | 第22-32页 |
| 1.2.1 SEM中二次电子产额的Monte Carlo模拟研究 | 第22-26页 |
| 1.2.2 Monte Carlo方法应用于SEM的模拟 | 第26-30页 |
| 1.2.3 CD-SEM线宽测量的Monte Carlo模拟研究 | 第30-32页 |
| 第2章 电子散射模型及Monte Carlo模拟模型 | 第32-44页 |
| 2.1 电子与固体相互作用理论 | 第32-37页 |
| 2.1.1 电子弹性散射截面 | 第33-35页 |
| 2.1.2 电子非弹性散射截面 | 第35-37页 |
| 2.2 Monte Carlo模拟电子散射方法及步骤 | 第37-39页 |
| 2.3 扫描电镜成像模拟程序的并行化 | 第39-44页 |
| 2.3.1 电镜成像MPI并行程序简介 | 第39-41页 |
| 2.3.2 模拟程序的并行优化以及加速比和并行效率的测试 | 第41-44页 |
| 第3章 复杂形貌样品的扫描电子显微镜成像的Monte Carlo模拟 | 第44-58页 |
| 3.1 背景介绍 | 第44-45页 |
| 3.2 模型和算法 | 第45-49页 |
| 3.2.1 三维模型的构建 | 第45-47页 |
| 3.2.2 空间分割法和射线步进法 | 第47-49页 |
| 3.3 任意形貌Au纳米颗粒的SEM模拟结果与讨论 | 第49-51页 |
| 3.4 Monte Carlo方法研究线边沿粗糙度的影响 | 第51-55页 |
| 3.4.1 三维模型的构建 | 第54页 |
| 3.4.2 粗糙纳米级光栅格扫描电镜成像的模拟 | 第54-55页 |
| 3.5 小结 | 第55-58页 |
| 第4章 线宽的扫描电镜成像模拟 | 第58-70页 |
| 4.1 背景介绍 | 第58-59页 |
| 4.2 电子束聚焦模型的建立 | 第59-60页 |
| 4.3 电子束聚焦参数对线宽测量的影响 | 第60-61页 |
| 4.4 结果和讨论 | 第61-67页 |
| 4.5 小结 | 第67-70页 |
| 第5章 扫描电镜成像中有效电子束形状的Monte Carlo模拟研究 | 第70-80页 |
| 5.1 背景介绍 | 第70页 |
| 5.2 结果和讨论 | 第70-76页 |
| 5.2.1 任意形貌的Au颗粒的EEBS研究 | 第70-76页 |
| 5.2.2 外加提取电场效应 | 第76页 |
| 5.3 小结 | 第76-80页 |
| 第6章 等离子刻蚀中圆洞掩膜图案的荷电效应研究 | 第80-92页 |
| 6.1 背景介绍 | 第80-81页 |
| 6.2 等离子体刻蚀中掩膜表面荷电效应的发现 | 第81页 |
| 6.3 理论和模拟模型的建立 | 第81-82页 |
| 6.4 结果和讨论 | 第82-88页 |
| 6.4.1 电场分布的模拟 | 第82-85页 |
| 6.4.2 正离子落在掩膜表面的分布模拟 | 第85-88页 |
| 6.5 小结 | 第88-92页 |
| 第7章 考虑荷电效应的SEM模拟的Monte Carlo研究 | 第92-114页 |
| 7.1 背景介绍 | 第92-93页 |
| 7.2 模型和算法 | 第93-97页 |
| 7.3 SiO_2限大体系的荷电模拟结果与SEM成像模拟 | 第97-110页 |
| 7.4 小结 | 第110-114页 |
| 第8章 碳衬底上金纳米棒的三维构造及其成像模拟 | 第114-122页 |
| 8.1 背景介绍 | 第114-115页 |
| 8.2 双层胶囊型纳米棒的三维模型建立 | 第115-116页 |
| 8.3 结果和讨论 | 第116-119页 |
| 8.4 小结 | 第119-122页 |
| 第9章 总结与展望 | 第122-124页 |
| 参考文献 | 第124-132页 |
| 致谢 | 第132-136页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第136-138页 |
