| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 LED发光材料的基本概述 | 第13-14页 |
| 1.2 LED用荧光材料的研究进展 | 第14-16页 |
| 1.2.1 黄色荧光材料 | 第14-15页 |
| 1.2.2 红色荧光材料 | 第15页 |
| 1.2.3 绿色荧光材料 | 第15-16页 |
| 1.2.4 LED用荧光粉目前存在的一些问题 | 第16页 |
| 1.3 长余辉发光材料基本概述 | 第16-18页 |
| 1.4 长余辉发光材料的研究进展 | 第18-20页 |
| 1.4.1 蓝色长余辉发光材料 | 第18-19页 |
| 1.4.2 绿色长余辉发光材料 | 第19页 |
| 1.4.3 红色长余辉发光材料 | 第19-20页 |
| 1.5 光存储发光材料 | 第20-23页 |
| 1.5.1 光存储发光材料原理及应用 | 第21-22页 |
| 1.5.2 光存储发光材料的研究进展 | 第22-23页 |
| 1.6 本论文的主要意义和内容 | 第23-25页 |
| 1.6.1 本论文的选题依据及意义 | 第23页 |
| 1.6.2 本论文的研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 实验制备以及样品的表征 | 第25-31页 |
| 2.1 实验所用药品及设备 | 第25-26页 |
| 2.1.1 样品原料 | 第25-26页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第26页 |
| 2.2 样品的制备 | 第26-27页 |
| 2.3 主要表征手段及其对应的仪器设备 | 第27-31页 |
| 2.3.1 物相分析(XRD) | 第27-28页 |
| 2.3.2 荧光光谱分析 | 第28页 |
| 2.3.3 荧光寿命仪 | 第28页 |
| 2.3.4 余辉衰减 | 第28页 |
| 2.3.5 色坐标分析 | 第28-29页 |
| 2.3.6 热释光分析 | 第29页 |
| 2.3.7 UV-VIS吸收-反射光谱 | 第29-31页 |
| 第三章 新型锗酸盐SrGeO_3、Ca_2Ge_7O_(16)红色荧光粉的制备与光学性质研究 | 第31-49页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 SrGeO_3：Eu~(3+)发光特性和机理研究 | 第31-35页 |
| 3.2.1 SrGeO_3的制备和晶体结构 | 第31-33页 |
| 3.2.2 SrGeO_3的光谱特性 | 第33-35页 |
| 3.3 稀土离子掺杂Ca_2Ge_7O_(16)发光特性和机理研究 | 第35-47页 |
| 3.3.1 Ca_2Ge_7O_(16)的制备和晶体结构 | 第35-36页 |
| 3.3.2 Ca_2Ge_7O_(16)：Eu~(3+)红色荧光粉发光性能 | 第36-38页 |
| 3.3.3 电荷补偿剂对Ca_2Ge_7O_(16)：Eu~(3+)发光性能的改性以及热稳定性 | 第38-40页 |
| 3.3.4 Sm~(3+)-Eu~(3+)能量传递对Ca_2Ge_7O_(16)：Eu~(3+)发光性能的改性 | 第40-45页 |
| 3.3.5 Ca_2Ge_7O_(16)：Sm~(3+),Eu~(3+)荧光粉的热稳定性 | 第45-46页 |
| 3.3.6 Ca_2Ge_7O_(16)：Sm~(3+),Eu~(3+)荧光粉的缺陷态研究 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 自激发荧光粉Ca_2Ge_7O_(16)、Na_2(Zn_(1-x)Ga_x)GeO_4长余辉发光特性以及缺陷态结构的研究 | 第49-75页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 Ca_2Ge_7O_(16)基质的自激发性能以及缺陷态研究 | 第49-58页 |
| 4.2.1 Ca_2Ge_7O_(16)：Nd~(3+)的制备 | 第50页 |
| 4.2.2 Ca_2Ge_7O_(16)基质的带隙 | 第50-51页 |
| 4.2.3 Ca_2Ge_7O_(16)的自激发过程研究 | 第51-56页 |
| 4.2.4 Ca_2Ge_7O_(16)的缺陷态结构研究 | 第56-58页 |
| 4.3 Ca_2Ge_7O_(16)：Sm~(3+)发光特性及缺陷态研究 | 第58-62页 |
| 4.3.1 Ca_2Ge_7O_(16)：Sm~(3+)的光致发光特性研究 | 第58-60页 |
| 4.3.2 Ca_2Ge_7O_(16):Sm~(3+)长余辉发光特性研究 | 第60-62页 |
| 4.4 Na_2(Zn_(1-x)Ga_x)GeO_4发光特性及缺陷态研究 | 第62-72页 |
| 4.4.1 Na_2(Zn_(1-x)Ga_x)GeO_4样品的制备及晶体结构 | 第62-63页 |
| 4.4.2 Na2(Zn_(0.8)Gao_(0.2))GeO_4的态密度 | 第63-64页 |
| 4.4.3 Na2(Zn_(0.8)Gao_(0.2))GeO_4的自激发特性研究 | 第64-67页 |
| 4.4.4 Na2(Zn_(0.8)Gao_(0.2))GeO_4：Tb~(3+)的光致发光特性研究 | 第67-68页 |
| 4.4.5 Na2(Zn_(0.8)Gao_(0.2))GeO_4：Tb~(3+)的长余辉发光特性研究 | 第68-72页 |
| 4.5 本章小结 | 第72-75页 |
| 第五章 其它体系荧光粉发光特性及缺陷态结构研究 | 第75-89页 |
| 5.1 引言 | 第75页 |
| 5.2 SrGa_2O_4发光材料的制备与结构 | 第75-77页 |
| 5.3 SrGa_2O_4：Bi~(3+)的光致发光特性 | 第77-80页 |
| 5.3.1 SrGa_2O_4基质的光致发光特性 | 第77-78页 |
| 5.3.2 SrGa_2O_4基质到Bi~(3+)能量传递过程研究 | 第78-80页 |
| 5.4 SrGa_2O_4：Bi~(3+)的光学存储性能的研究 | 第80-85页 |
| 5.4.1 SrGa_2O_4：Bi~(3+)长余辉发光特性研究 | 第80-81页 |
| 5.4.2 SrGa_2O_4：Bi~(3+)的缺陷态结构研究 | 第81-83页 |
| 5.4.3 SrGa_2O_4：Bi~(3+)的光激励特性研究 | 第83-85页 |
| 5.5 SrGa_2O_4：Bi~(3+)的发光机理 | 第85-86页 |
| 5.6 本章小结 | 第86-89页 |
| 第六章 结论与展望 | 第89-91页 |
| 致谢 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-105页 |
| 附录A (攻读学位其间发表论文目录) | 第105-106页 |
