| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 论文创新点摘要 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 MoS_2的概述 | 第12-20页 |
| 1.2.1 MoS_2的结构及性质 | 第12-14页 |
| 1.2.2 MoS_2的应用 | 第14-16页 |
| 1.2.3 MoS_2的制备技术 | 第16-20页 |
| 1.3 MoS_2气体传感器的研制 | 第20-22页 |
| 1.4 MoS_2光电器件的研制 | 第22-24页 |
| 1.5 选题依据及研究内容 | 第24-27页 |
| 第二章 实验技术及测试方法 | 第27-35页 |
| 2.1 磁控溅射技术 | 第27-28页 |
| 2.2 微观结构表征方法 | 第28-31页 |
| 2.2.1 X 射线光电子能谱（XPS） | 第28-29页 |
| 2.2.2 拉曼光谱分析 | 第29页 |
| 2.2.3 紫外光电子能谱（UPS） | 第29页 |
| 2.2.4 紫外可见吸收光谱（UV） | 第29页 |
| 2.2.5 X 射线衍射（XRD） | 第29-30页 |
| 2.2.6 扫描电子显微镜（SEM） | 第30页 |
| 2.2.7 原子力显微镜（AFM） | 第30-31页 |
| 2.3 半导体性能测试方法 | 第31-33页 |
| 2.3.1 I-V性质 | 第31-32页 |
| 2.3.2 C-V性质 | 第32-33页 |
| 2.4 光伏性能参数 | 第33-35页 |
| 第三章 MoS_2薄膜制备及结构表征 | 第35-44页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 MoS_2薄膜制备 | 第35-36页 |
| 3.3 MoS_2薄膜结构表征 | 第36-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 MoS_2/Si异质薄膜的气敏特性研究 | 第44-63页 |
| 4.1 引言 | 第44-45页 |
| 4.2 MoS_2/Si异质薄膜的I-V特性 | 第45-48页 |
| 4.3 MoS_2/Si异质薄膜的H_2敏感性 | 第48-53页 |
| 4.3.1 敏感性能测量 | 第49-51页 |
| 4.3.2 H_2敏感性机理 | 第51-53页 |
| 4.4 MoS_2/Si异质薄膜的NH_3敏感性 | 第53-57页 |
| 4.5 MoS_2/Si异质薄膜的湿度敏感性 | 第57-59页 |
| 4.6 MoS_2/Si异质薄膜的气体敏感机理 | 第59-61页 |
| 4.7 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 MoS_2/Si异质薄膜的电光特性研究 | 第63-88页 |
| 5.1 引言 | 第63-64页 |
| 5.2 MoS_2/Si光伏性能 | 第64-71页 |
| 5.3 SiO_2缓冲层的影响 | 第71-78页 |
| 5.3.1 MoS_2/SiO_2/Si异质薄膜的制备 | 第71-72页 |
| 5.3.2 SiO_2缓冲层对电学性能的影响 | 第72-74页 |
| 5.3.3 SiO_2缓冲层对光伏性能的影响 | 第74-78页 |
| 5.4 Pd掺杂效应 | 第78-86页 |
| 5.4.1 Pd掺杂的MoS_2/Si异质薄膜的制备 | 第78页 |
| 5.4.2 Pd掺杂对MoS_2/Si异质薄膜结构的影响 | 第78-81页 |
| 5.4.3 Pd掺杂对MoS_2/Si异质薄膜光伏性能的影响 | 第81-86页 |
| 5.5 本章小结 | 第86-88页 |
| 第六章 结论与展望 | 第88-91页 |
| 参考文献 | 第91-106页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第106-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |
| 作者简介 | 第110页 |
