石墨烯上GaN、AlN的成核与应力分析研究
| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 课题研究的背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 石墨烯的结构性质及制备方法 | 第11-15页 |
| 1.2.1 石墨烯的结构及性质 | 第11-14页 |
| 1.2.2 石墨烯的制备方法 | 第14-15页 |
| 1.3 GaN、AlN的结构性质及制备方法 | 第15-19页 |
| 1.3.1 GaN的结构性质 | 第15-17页 |
| 1.3.2 AlN的结构性质 | 第17-18页 |
| 1.3.3 HVPE法制备氮化物 | 第18-19页 |
| 1.4 石墨烯和氮化物的主要表征手段 | 第19-25页 |
| 1.5 国内外研究现状 | 第25-27页 |
| 1.6 论文工作安排 | 第27-28页 |
| 第二章 石墨烯上GaN的成核研究 | 第28-41页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 固态碳源制备的石墨烯上GaN成核研究 | 第28-35页 |
| 2.2.1 固态碳源低温石墨烯的制备 | 第28-32页 |
| 2.2.2 GaN微米柱成核生长 | 第32页 |
| 2.2.3 结果与讨论 | 第32-35页 |
| 2.3 SiC退火外延石墨烯上GaN成核研究 | 第35-40页 |
| 2.3.1 SiC上石墨烯的外延生长 | 第35-36页 |
| 2.3.2 GaN微米柱成核生长 | 第36页 |
| 2.3.3 结果与讨论 | 第36-40页 |
| 2.4 本章总结 | 第40-41页 |
| 第三章 石墨烯上AlN的成核研究 | 第41-49页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 石墨烯/蓝宝石上AlN的成核研究 | 第41-45页 |
| 3.2.1 石墨烯的制备及AlN的生长 | 第41-42页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第42-45页 |
| 3.3 SiC外延石墨烯上AlN的成核 | 第45-47页 |
| 3.3.1 石墨烯衬底准备及AlN生长 | 第45页 |
| 3.3.2 结果与讨论 | 第45-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 GaN微米柱的剥离及应力分析 | 第49-53页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 GaN微米柱的剥离及表征 | 第49-51页 |
| 4.3 GaN微米柱应力分析 | 第51-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结和展望 | 第53-55页 |
| 5.1 本论文工作总结 | 第53-54页 |
| 5.2 对未来工作的展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
