| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第15-16页 |
| 1.2 研究历史和现状 | 第16-18页 |
| 1.3 本文主要工作及内容安排 | 第18-21页 |
| 第二章 自适应波束形成技术 | 第21-35页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 阵列模型 | 第21-24页 |
| 2.2.1 均匀线性阵列模型 | 第21-23页 |
| 2.2.2 平面阵列模型 | 第23-24页 |
| 2.3 数字波束形成 | 第24-27页 |
| 2.4 自适应数字波束形成 | 第27-33页 |
| 2.4.1 自适应波束形成准则 | 第27-31页 |
| 2.4.2 线性约束广义旁瓣相消器 | 第31-33页 |
| 2.5 仿真分析 | 第33-34页 |
| 2.6 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 主瓣干扰抑制及方向图保形方法 | 第35-55页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 主瓣干扰抑制方法 | 第35-45页 |
| 3.2.1 基于阻塞矩阵预处理的主瓣干扰抑制方法 | 第35-39页 |
| 3.2.2 基于特征投影矩阵预处理的主瓣干扰抑制方法 | 第39-41页 |
| 3.2.3 仿真分析 | 第41-45页 |
| 3.3 方向图保形方法 | 第45-49页 |
| 3.3.1 权系数补偿法 | 第46页 |
| 3.3.2 白化处理法 | 第46-47页 |
| 3.3.3 对角加载技术 | 第47-48页 |
| 3.3.4 对角加载与线性约束相结合 | 第48-49页 |
| 3.4 仿真实验及性能分析 | 第49-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 改进的基于EP-CMR的主瓣干扰抑制算法 | 第55-75页 |
| 4.1 引言 | 第55页 |
| 4.2 基于特征投影和重构协方差矩阵的主瓣干扰抑制算法 | 第55-63页 |
| 4.2.1 EP-CMR算法原理 | 第55-60页 |
| 4.2.2 仿真分析 | 第60-63页 |
| 4.3 改进的基于EP-CMR的主瓣干扰抑制算法 | 第63-66页 |
| 4.4 仿真实验及性能分析 | 第66-73页 |
| 4.5 算法性能比较 | 第73-74页 |
| 4.6 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 5.1 总结 | 第75页 |
| 5.2 展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 作者简介 | 第83-84页 |