| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 研究背景 | 第11-15页 |
| 1.2.1 深亚微米器件辐射环境 | 第11-14页 |
| 1.2.2 国内外研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 研究的必要性 | 第15-16页 |
| 1.4 本文研究意义和内容安排 | 第16-19页 |
| 1.4.1 本文研究意义 | 第16-17页 |
| 1.4.2 本文内容安排 | 第17-19页 |
| 第二章 深亚微米器件辐射效应机理与数值模型 | 第19-25页 |
| 2.1 单粒子辐射效应物理机理 | 第19-20页 |
| 2.2 单粒子效应模型 | 第20-21页 |
| 2.3 脉冲激光试验发展历程 | 第21-23页 |
| 2.4 总剂量辐射效应物理机理 | 第23-24页 |
| 2.5 总剂量效应模型 | 第24-25页 |
| 第三章 脉冲激光等效LET阈值数值模型的构建 | 第25-34页 |
| 3.1 单粒子效应模型方案选定 | 第25-27页 |
| 3.2 脉冲激光等效重离子LET模型 | 第27-32页 |
| 3.2.1 脉冲激光能量与重离子LET的等效性 | 第27页 |
| 3.2.2 脉冲激光等效LET阈值模型构建 | 第27-30页 |
| 3.2.3 透射率函数模型 | 第30-32页 |
| 3.3 脉冲激光等效重离LET模型的数值计算与对比 | 第32-33页 |
| 3.3.1 脉冲激光等效重离子LET模型的数值计算 | 第32页 |
| 3.3.2 脉冲激光等效重离子LET模型的对比 | 第32-33页 |
| 3.4 小结 | 第33-34页 |
| 第四章 改进型总剂量辐射效应模型的构建和算法设计 | 第34-41页 |
| 4.1 改进型总剂量辐射效应模型的考虑 | 第34页 |
| 4.2 空穴产生和俘获模型 | 第34-35页 |
| 4.2.1 空穴产生模型 | 第34-35页 |
| 4.2.2 空穴俘获模型 | 第35页 |
| 4.3 空间电荷累积模型 | 第35-40页 |
| 4.3.1 光子的能量沉积 | 第35-36页 |
| 4.3.2 空穴产额模型及俘获界面模型 | 第36-37页 |
| 4.3.3 初始电场模型 | 第37-39页 |
| 4.3.4 氧化层动态电场模型 | 第39-40页 |
| 4.4 小结 | 第40-41页 |
| 第五章 支持单粒子与总剂量效应的软件程序设计 | 第41-52页 |
| 5.1 软件程序总体考虑 | 第41页 |
| 5.2 脉冲激光等效LET阈值数值模型的程序设计与实现 | 第41-44页 |
| 5.3 总剂量辐射效应模型的程序设计与实现 | 第44-46页 |
| 5.3.1 初始条件 | 第44页 |
| 5.3.2 迭代算法 | 第44-46页 |
| 5.4 支持单粒子与总剂量效应的程序界面设计 | 第46-50页 |
| 5.4.1 器件自身属性界面 | 第46-47页 |
| 5.4.2 总剂量辐射条件界面 | 第47页 |
| 5.4.3 激光等效试验条件界面 | 第47-48页 |
| 5.4.4 结果值输出界面 | 第48-49页 |
| 5.4.5 整体界面 | 第49-50页 |
| 5.5 小结 | 第50-52页 |
| 第六章 支持单粒子和总剂量协同效应仿真的模拟平台和验证分析 | 第52-62页 |
| 6.1 平台搭建 | 第52-53页 |
| 6.1.1 平台搭建所需软件 | 第52页 |
| 6.1.2 Sentaurus TCAD仿真软件介绍 | 第52-53页 |
| 6.2 45nm NMOS器件的TCAD三维仿真 | 第53-56页 |
| 6.2.1 45nm NMOS器件的TCAD三维仿真流程 | 第53-54页 |
| 6.2.2 45nm NMOS器件的TCAD仿真物理模型 | 第54-56页 |
| 6.3 45nm NMOS器件的单粒子和总剂量协同效应仿真和分析 | 第56-60页 |
| 6.3.1 仿真条件设定 | 第56-57页 |
| 6.3.2 无总剂量辐射条件时的单粒子效应仿真分析 | 第57-58页 |
| 6.3.3 不同总剂量辐射条件时的单粒子效应仿真分析 | 第58-60页 |
| 6.4 小结 | 第60-62页 |
| 第七章 工作总结和展望 | 第62-64页 |
| 7.1 工作总结 | 第62-63页 |
| 7.2 展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 附录 | 第71页 |
