数字电路高功率微波（HPM）效应研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·数字电路微波效应研究意义 | 第9-10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-12页 |
| ·论文的研究方法 | 第12-13页 |
| ·论文的主要内容及组织形式 | 第13-15页 |
| 第二章 CMOS 反相器相关理论 | 第15-26页 |
| ·MOS 场效应管（MOSFET）结构 | 第15-16页 |
| ·MOSFET SPICE 模型 | 第16-18页 |
| ·CMOS 反相器工作原理及特性 | 第18-24页 |
| ·CMOS 反相器电路结构及工作原理 | 第18-20页 |
| ·CMOS 反相器的主要特性 | 第20-24页 |
| ·CMOS 电路的闩锁效应与ESD | 第24-26页 |
| 第三章 CMOS 反相器HPM 效应模拟 | 第26-42页 |
| ·微波对CMOS 数字电路的作用过程 | 第27页 |
| ·效应模拟所用模型的有效性 | 第27-28页 |
| ·效应模拟所用软件—HSPICE 简介 | 第28页 |
| ·HPM 效应电路模拟 | 第28-41页 |
| ·电路模拟相关参数设置 | 第28-31页 |
| ·级联SN74AHC04 反相器模拟计算结果 | 第31-41页 |
| ·不同微波脉冲功率、频率对扰乱结果的影响 | 第31-38页 |
| ·不同微波脉宽对扰乱结果的影响 | 第38-40页 |
| ·不同脉冲上升沿与下降沿的模拟 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 CMOS 反相器HPM 效应实验研究 | 第42-57页 |
| ·注入实验系统的搭建 | 第42-43页 |
| ·CMOS 反相器注入实验原理 | 第43-46页 |
| ·注入实验结果及分析 | 第46-54页 |
| ·反相器输入为高、低逻辑电平时注入微波扰乱脉冲 | 第46-50页 |
| ·反相器工作信号上升沿或下降沿注入微波扰乱脉冲 | 第50-54页 |
| ·CMOS 反相器HPM 效应总结 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 微波干扰下反相器动态参数的计算方法 | 第57-65页 |
| ·反相器输入端注入微波干扰信号时的模型参数 | 第57-58页 |
| ·反相器分析参数提取方法介绍 | 第58-63页 |
| ·反相器输入为阶跃信号的情形 | 第59-61页 |
| ·反相器输入为斜坡输入信号的情形 | 第61-63页 |
| ·输入斜坡信号时反相器动态功耗的计算 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 结束语 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
