| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 引言 | 第13-23页 |
| 1.1 石墨烯的发展 | 第13-14页 |
| 1.2 石墨烯的性质 | 第14-16页 |
| 1.2.1 电子效应 | 第14-15页 |
| 1.2.2 非电子效应 | 第15-16页 |
| 1.3 石墨烯的应用 | 第16-18页 |
| 1.3.1 计算机芯片材料 | 第16-17页 |
| 1.3.2 良好的物理实验平台 | 第17页 |
| 1.3.3 高效率导体 | 第17-18页 |
| 1.3.4 高强度材料 | 第18页 |
| 1.4 非线性光学 | 第18-19页 |
| 1.5 非线性光学材料的发展 | 第19-21页 |
| 1.6 第一超极化率 | 第21-22页 |
| 1.7 本论文研究内容和意义 | 第22-23页 |
| 第2章 理论基础和计算方法 | 第23-47页 |
| 2.1 分子轨道理论 | 第24-28页 |
| 2.1.1 闭壳层分子的HFR方程 | 第24-26页 |
| 2.1.2 开壳层分子的HFR方程 | 第26-28页 |
| 2.2 电子相关问题 | 第28-38页 |
| 2.2.1 电子相关能 | 第28-29页 |
| 2.2.2 组态相互作用(Configuration interaction,CI) | 第29-30页 |
| 2.2.3 微扰理论方法 | 第30-33页 |
| 2.2.4 密度泛函理论(DFT)简介 | 第33-38页 |
| 2.3 电子激发态理论 | 第38-41页 |
| 2.4 基组问题 | 第41-44页 |
| 2.4.1 基组的选择 | 第41-43页 |
| 2.4.2 基组重叠误差(BSSE) | 第43-44页 |
| 2.5 非线性光学性质的计算 | 第44-47页 |
| 2.5.1 非线性光学 | 第44页 |
| 2.5.2 非线性光学性质理论计算方法 | 第44-47页 |
| 第3章 氨基—石墨烯纳米带—硝基纳米分子体系的非线性光学性质的理论研究 | 第47-65页 |
| 3.1 引言 | 第47-48页 |
| 3.2 计算方法 | 第48-55页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第55-62页 |
| 3.3.1 推-拉电子对与取代位置对非线性光学性质的影响 | 第55-56页 |
| 3.3.2 长度和宽度效应对第一超极化率的影响 | 第56-62页 |
| 3.3.3 双自由基和自旋密度分布 | 第62页 |
| 3.4 本章小节 | 第62-65页 |
| 第4章 小尺寸石墨烯纳米分子体系的非线性光学材料的理论设计 | 第65-81页 |
| 4.1 引言 | 第65-66页 |
| 4.2 计算方法 | 第66-70页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第70-78页 |
| 4.3.1 形状效应对非线性光学性质的影响 | 第70-73页 |
| 4.3.2 双重模式对非线性光学性质的影响 | 第73-78页 |
| 4.4 本章小节 | 第78-81页 |
| 第5章 电场诱导质子转移及非线性光学性质的理论研究 | 第81-99页 |
| 5.1 引言 | 第81-82页 |
| 5.2 计算方法 | 第82-83页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第83-97页 |
| 5.3.1 H_3N-HCl和H_2O-HCl质子转移的描述 | 第83-85页 |
| 5.3.2 H_3N-HCl和H_2O-HCl质子转移机理 | 第85-89页 |
| 5.3.3 势能面 | 第89-90页 |
| 5.3.4 额外电子与电场的等价性 | 第90-92页 |
| 5.3.5 H_3N-HCl和H_2O-HCl在电场中的光学性质 | 第92-97页 |
| 5.4 结论 | 第97-99页 |
| 第6章 取代效应和协同效应对单电子卤键复合物非线性光学性质的理论研究 | 第99-113页 |
| 6.1 引言 | 第99-100页 |
| 6.2 计算方法 | 第100-102页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第102-111页 |
| 6.3.1 取代效应 | 第102-103页 |
| 6.3.2 协同效应 | 第103-106页 |
| 6.3.3 取代效应和协同效应对光学性质的影响 | 第106-111页 |
| 6.4 本章小结 | 第111-113页 |
| 参考文献 | 第113-141页 |
| 作者简介 | 第141-143页 |
| 攻读博士学位期间发表及完成的论文 | 第143-147页 |
| 致谢 | 第147页 |
