摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第11-20页 |
1.1 纳米材料的概述 | 第11-12页 |
1.2 纳米阵列结构的研究概况 | 第12-14页 |
1.2.1 纳米阵列结构的合成方法 | 第12-13页 |
1.2.2 纳米阵列结构的性能及应用 | 第13-14页 |
1.3 SnO_2纳米阵列结构与应用 | 第14-17页 |
1.3.1 纳米SnO_2材料结构 | 第14页 |
1.3.2 SnO_2纳米阵列结构的研究概况 | 第14-17页 |
1.4 SnO_2气敏材料存在的问题与发展趋势 | 第17-18页 |
1.5 选题意义和研究内容 | 第18-20页 |
1.5.1 选题意义 | 第18-19页 |
1.5.2 研究内容 | 第19-20页 |
第二章 实验方法与技术路线 | 第20-28页 |
2.1 原料与设备 | 第20-22页 |
2.1.1 原料与试剂 | 第20-21页 |
2.1.2 设备与仪器 | 第21-22页 |
2.2 样品的制备方法 | 第22-24页 |
2.2.1 低维SnO_2花状分级结构的制备 | 第22-23页 |
2.2.2 稀土掺杂低维SnO_2花状分级结构的制备 | 第23-24页 |
2.3 样品的表征方法 | 第24-25页 |
2.4 样品的气敏性能检测 | 第25-27页 |
2.4.1 气敏元件的制作 | 第25-26页 |
2.4.2 气敏元件性能的测试原理 | 第26页 |
2.4.3 气敏元件性能的主要指标 | 第26-27页 |
2.5 本章小结 | 第27-28页 |
第三章 SnO_2花状分级结构的结构与气敏性能 | 第28-52页 |
3.1 低维SnO_2花状分级结构实验结果分析 | 第28-31页 |
3.1.1 低维SnO_2纳米花状分级结构的XRD物相分析 | 第28-29页 |
3.1.2 低维SnO_2花状分级结构的形貌分析 | 第29-31页 |
3.2 低维SnO_2花状分级结构实验参数探索 | 第31-46页 |
3.2.1 Na_2SnO_3·4H_2O浓度的影响 | 第31-34页 |
3.2.2 温度的影响 | 第34-40页 |
3.2.3 时间的影响 | 第40-44页 |
3.2.4 酒精体积比的影响 | 第44-46页 |
3.3 低维SnO_2花状分级结构的气敏性能研究 | 第46-51页 |
3.3.1 不同温度合成材料所制元件的电阻温度特性 | 第46-47页 |
3.3.2 不同温度合成材料所制元件的灵敏度与选择性的关系 | 第47页 |
3.3.3 不同温度元件的灵敏度与工作电压的关系 | 第47-48页 |
3.3.4 不同温度元件的灵敏度与浓度的关系 | 第48-49页 |
3.3.5 不同温度元件的响应恢复特性 | 第49-51页 |
3.4 本章小结 | 第51-52页 |
第四章 稀土Ce掺杂SnO_2花状分级结构的气敏性能研究 | 第52-65页 |
4.1 稀土Ce掺杂SnO_2花状分级结构的表征结果与分析 | 第52-58页 |
4.1.1 物相分析 | 第52-53页 |
4.1.2 稀土Ce掺杂SnO_2的SEM形貌分析 | 第53-55页 |
4.1.3 X射线能谱仪结果分析 | 第55页 |
4.1.4 稀土Ce掺杂SnO_2的TEM分析 | 第55-57页 |
4.1.5 稀土掺杂SnO_2花状分级结构的紫外分析 | 第57页 |
4.1.6 稀土掺杂SnO_2花状分级结构的FT-IR分析 | 第57-58页 |
4.2 稀土Ce掺杂低维SnO_2花状分级结构的气敏性能 | 第58-64页 |
4.2.1 稀土Ce掺杂前后元件的电阻温度特性 | 第58-59页 |
4.2.2 稀土Ce掺杂前后元件的选择性性能 | 第59页 |
4.2.3 稀土Ce掺杂前后元件的灵敏度与工作电压的关系 | 第59-61页 |
4.2.4 稀土Ce掺杂前后元件的灵敏度与浓度的关系 | 第61-62页 |
4.2.5 稀土Ce掺杂前后元件的响应恢复特性 | 第62-64页 |
4.3 本章小结 | 第64-65页 |
第五章 稀土Pr掺杂SnO_2花状分级结构的气敏性能研究 | 第65-77页 |
5.1 稀土Pr掺杂SnO_2花状分级结构的表征结果与分析 | 第65-71页 |
5.1.1 物相分析 | 第65-66页 |
5.1.2 稀土Pr掺杂SnO_2的SEM | 第66-67页 |
5.1.3 EDX结果分析 | 第67-68页 |
5.1.4 稀土Pr掺杂SnO_2的TEM分析 | 第68-69页 |
5.1.5 稀土掺杂SnO_2花状分级结构的紫外分析 | 第69页 |
5.1.6 稀土掺杂SnO_2花状分级结构的FT-IR分析 | 第69-70页 |
5.1.7 稀土掺杂SnO_2花状分级结构的Roman分析 | 第70-71页 |
5.2 稀土Pr掺杂低维SnO_2花状分级结构的气敏性能 | 第71-76页 |
5.2.1 稀土Pr掺杂前后元件元件的电阻温度特性 | 第71-72页 |
5.2.2 稀土Pr掺杂前后元件的选择性性能 | 第72页 |
5.2.3 稀土Pr掺杂前后元件的灵敏度与工作电压的关系 | 第72-74页 |
5.2.4 稀土Pr掺杂前后元件的灵敏度与浓度的关系 | 第74-75页 |
5.2.5 稀土Pr掺杂前后元件的响应恢复特性 | 第75-76页 |
5.3 本章小结 | 第76-77页 |
第六章 稀土Y掺杂SnO_2花状分级结构的气敏性能研究 | 第77-90页 |
6.1 稀土Y掺杂SnO_2花状分级结构的表征结果与分析 | 第77-82页 |
6.1.1 物相分析 | 第77-78页 |
6.1.2 稀土Y掺杂SnO_2的SEM | 第78-79页 |
6.1.3 EDX结果分析 | 第79-80页 |
6.1.4 稀土Y掺杂SnO_2的TEM分析 | 第80-81页 |
6.1.5 稀土掺杂SnO_2花状分级结构的FT-IR分析 | 第81-82页 |
6.1.6 稀土掺杂SnO_2花状分级结构的紫外分析 | 第82页 |
6.2 稀土Y掺杂低维SnO_2花状分级结构的气敏性能 | 第82-89页 |
6.2.1 稀土Y掺杂前后气敏元件的电阻温度特性 | 第82-83页 |
6.2.2 稀土Y掺杂前后元件的选择性性能 | 第83-84页 |
6.2.3 稀土Y掺杂前后元件的灵敏度与工作电压的关系 | 第84-85页 |
6.2.4 稀土Y掺杂前后元件的灵敏度与浓度的关系 | 第85-87页 |
6.2.5 稀土Y掺杂前后元件的响应恢复特性 | 第87-89页 |
6.3 本章小结 | 第89-90页 |
第七章 稀土La掺杂SnO_2花状分级结构的气敏性能研究 | 第90-103页 |
7.1 稀土La掺杂SnO_2花状分级结构的表征结果与分析 | 第90-96页 |
7.1.1. 物相分析 | 第90-91页 |
7.1.2 稀土La掺杂SnO_2的SEM | 第91-93页 |
7.1.3 稀土La掺杂SnO_2的TEM分析 | 第93页 |
7.1.4 稀土 La惨杂Sn0_2的TEM分析 | 第93-94页 |
7.1.5 稀土掺杂SnO_2花状分级结构的紫外分析 | 第94-95页 |
7.1.6 稀土掺杂SnO_2花状分级结构的FT-IR分析 | 第95-96页 |
7.2 稀土La掺杂低维SnO_2花状分级结构的气敏性能 | 第96-102页 |
7.2.1 稀土La掺杂前后元件的电阻温度特性 | 第96-97页 |
7.2.2 稀土La掺杂前后元件的选择性性能 | 第97-98页 |
7.2.3 稀土La掺杂前后元件的灵敏度与工作电压的关系 | 第98-99页 |
7.2.4 稀土La掺杂前后元件的灵敏度与浓度的关系 | 第99-100页 |
7.2.5 稀土La掺杂前后元件的响应恢复特性 | 第100-102页 |
7.3 本章小结 | 第102-103页 |
第八章 稀土Eu掺杂SnO_2花状分级结构的气敏性能研究 | 第103-116页 |
8.1 稀土Eu掺杂SnO_2花状分级结构的表征结果与分析 | 第103-108页 |
8.1.1 物相分析 | 第103-104页 |
8.1.2 稀土Eu掺杂SnO_2的SEM | 第104-105页 |
8.1.3 样品的X射线能谱仪图谱 | 第105-106页 |
8.1.4 稀土Eu掺杂SnO_2的TEM分析 | 第106-107页 |
8.1.5 稀土掺杂SnO_2纳米花的紫外分析 | 第107-108页 |
8.1.6 稀土掺杂SnO_2花状分级结构的FT-IR分析 | 第108页 |
8.2 稀土Eu掺杂低维SnO_2花状分级结构的气敏性能 | 第108-115页 |
8.2.1 稀土Eu掺杂前后气敏元件的电阻温度特性 | 第108-109页 |
8.2.2 稀土Eu掺杂前后元件对气体的选择性性能 | 第109-110页 |
8.2.3 稀土Eu掺杂前后元件的灵敏度与工作电压的关系 | 第110-111页 |
8.2.4 稀土Eu掺杂前后元件的灵敏度与浓度的关系 | 第111-112页 |
8.2.5 稀土Eu掺杂前后元件的响应恢复特性 | 第112-115页 |
8.3 本章小结 | 第115-116页 |
第九章 实验总结 | 第116-119页 |
9.1 研究内容 | 第116-118页 |
9.2 创新点与不足之处 | 第118-119页 |
参考文献 | 第119-127页 |
研究生期间发表的论文 | 第127-128页 |
主持与参与项目的研究 | 第128页 |
申请专利情况 | 第128页 |
获奖情况 | 第128-129页 |
致谢 | 第129页 |