| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-11页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 研究目的及意义 | 第8-9页 |
| 1.3 激光与半导体材料相互作用的研究现状 | 第9-10页 |
| 1.4 论文的安排及主要内容 | 第10-11页 |
| 第二章 多晶硅的特性及激光与半导体材料相互作用的基本理论 | 第11-20页 |
| 2.1 多晶硅材料的基本特性 | 第11-13页 |
| 2.1.1 多晶硅的结构特性 | 第11-12页 |
| 2.1.2 多晶硅的性能和物理参数 | 第12-13页 |
| 2.2 激光与材料的相互作用 | 第13-16页 |
| 2.3 半导体材料的能量吸收与传递机制 | 第16-18页 |
| 2.3.1 半导体材料的吸收机制 | 第16-17页 |
| 2.3.2 能量的传递机制 | 第17-18页 |
| 2.4 等离子体电子温度的计算方法 | 第18-20页 |
| 第三章 高重频皮秒脉冲激光辐照多晶硅实验系统的建立 | 第20-26页 |
| 3.1 实验系统的建立 | 第20-23页 |
| 3.1.1 实验装置及原理 | 第20-21页 |
| 3.1.2 主要实验仪器和设备 | 第21-23页 |
| 3.2 高重频皮秒脉冲激光辐照多晶硅的损伤阈值的判定 | 第23-26页 |
| 3.2.1 材料损伤的定义 | 第23-24页 |
| 3.2.2 损伤的判定方法 | 第24-25页 |
| 3.2.3 本文的损伤阈值判定方法 | 第25-26页 |
| 第四章 实验研究及结果分析 | 第26-38页 |
| 4.1 激光辐照时间对多晶硅损伤特性的影响 | 第26-27页 |
| 4.1.1 激光辐照时间对损伤阈值的影响 | 第26-27页 |
| 4.1.2 激光辐照时间对损伤形貌的影响 | 第27页 |
| 4.2 激光重复频率对多晶硅损伤特性的影响 | 第27-29页 |
| 4.2.1 激光重复频率对损伤阈值的影响 | 第27-28页 |
| 4.2.2 激光重复频率对损伤形貌的影响 | 第28-29页 |
| 4.3 不同激光波长对多晶硅损伤特性的影响 | 第29-32页 |
| 4.3.1 不同激光波长对损伤阈值的影响 | 第30页 |
| 4.3.2 不同激光波长对损伤形貌的影响 | 第30-31页 |
| 4.3.3 不同波长激光对多晶硅损伤差异的原因分析 | 第31-32页 |
| 4.4 高重频皮秒脉冲激光辐照多晶硅的损伤机理 | 第32-38页 |
| 4.4.1 热烧蚀分析 | 第32-34页 |
| 4.4.2 热应力分析 | 第34页 |
| 4.4.3 多脉冲损伤机理 | 第34-38页 |
| 第五章 总结与展望 | 第38-40页 |
| 致谢 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-45页 |
| 硕士期间发表论文与研究成果 | 第45页 |
