| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 ZnO的基本性质 | 第9-10页 |
| 1.3 ZnO材料的应用 | 第10-11页 |
| 1.4 ZnO薄膜 | 第11页 |
| 1.5 计算方法 | 第11页 |
| 1.6 本论文开展的研究内容及创新点 | 第11-14页 |
| 第二章 模拟软件的选取 | 第14-17页 |
| 2.1 国内外材料设计软件的背景及发展 | 第14-16页 |
| 2.1.1 Materials Studio | 第14-15页 |
| 2.1.2 VASP | 第15-16页 |
| 2.1.3 Materials Explorer软件 | 第16页 |
| 2.2 第一性原理 | 第16页 |
| 2.3 小结 | 第16-17页 |
| 第三章 理论基础 | 第17-21页 |
| 3.1 密度泛函理论 | 第17-18页 |
| 3.2 局域密度近似 | 第18-19页 |
| 3.3 广义梯度近似 | 第19页 |
| 3.4 光学性质的理论基础 | 第19-20页 |
| 3.5 能带理论 | 第20-21页 |
| 第四章 ZnO单晶的电子结构和光学性质 | 第21-26页 |
| 4.1 计算模型与计算方法 | 第21页 |
| 4.2 ZnO电子结构 | 第21-23页 |
| 4.3 ZnO光学性质 | 第23-25页 |
| 4.4 小结 | 第25-26页 |
| 第五章 In掺杂ZnO电子结构及光学性质 | 第26-31页 |
| 5.1 计算模型与计算方法 | 第26-27页 |
| 5.2 电子结构 | 第27-28页 |
| 5.3 光学性质 | 第28-30页 |
| 5.4 小结 | 第30-31页 |
| 第六章 In，N共掺杂ZnO电子结构及光学性质 | 第31-41页 |
| 6.1 In-N共掺p-ZnO薄膜的电学性质的实验 | 第31页 |
| 6.2 In-N共掺杂p-ZnO薄膜的光学性质 | 第31-32页 |
| 6.3 能带结构 | 第32-33页 |
| 6.4 态密度 | 第33-36页 |
| 6.5 介电函数 | 第36-37页 |
| 6.6 吸收系数 | 第37-38页 |
| 6.7 折射率与消光系数 | 第38-40页 |
| 6.8 小结 | 第40-41页 |
| 第七章 Au-N共掺杂ZnO电子结构和光学性质的第一性原理研究 | 第41-47页 |
| 7.1 模型构建和计算方法 | 第41页 |
| 7.2 电子结构 | 第41-44页 |
| 7.3 光学性质 | 第44-45页 |
| 7.4 小结 | 第45-47页 |
| 第八章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 8.1 总结 | 第47-48页 |
| 8.2 展望 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第52页 |
