常压CVD法制备均匀石墨烯薄膜的工艺优化及其在金属防护中的应用研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 石墨烯概述 | 第9-21页 |
| 1.1.1 石墨烯的发现及结构形态 | 第9-10页 |
| 1.1.2 石墨烯的性质 | 第10-12页 |
| 1.1.3 石墨烯的应用 | 第12-15页 |
| 1.1.4 石墨烯的制备方法 | 第15-21页 |
| 1.2 CVD法制备石墨烯薄膜概述 | 第21页 |
| 1.3 石墨烯薄膜在金属防护中的应用现状 | 第21-23页 |
| 1.4 本课题提出的意义及研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 实验与表征 | 第25-35页 |
| 2.1 实验材料 | 第25-26页 |
| 2.2 实验仪器设备及用途 | 第26-28页 |
| 2.2.1 制备仪器及设备 | 第26-27页 |
| 2.2.2 分析仪器及设备 | 第27-28页 |
| 2.3 CVD石墨烯制备 | 第28-29页 |
| 2.3.1 铜箔的预处理 | 第28页 |
| 2.3.2 管式炉预备 | 第28-29页 |
| 2.3.3 生长阶段 | 第29页 |
| 2.4 CVD石墨烯薄膜旳转移 | 第29-33页 |
| 2.4.1 湿法转移法 | 第29-31页 |
| 2.4.2 石墨烯电解法转移 | 第31-32页 |
| 2.4.3 转移方法对比 | 第32-33页 |
| 2.5 石墨烯薄膜抗氧化性能试样制备及检测 | 第33-34页 |
| 2.5.1 石墨烯薄膜抗氧化性能试样制备 | 第33-34页 |
| 2.5.2 石墨烯薄膜抗氧化性能检测 | 第34页 |
| 2.6 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 石墨烯薄膜制备及转移工艺优化 | 第35-53页 |
| 3.1 生长阶段H2/Ar流量的影响 | 第35-37页 |
| 3.2 生长阶段C2H2流量的影响 | 第37-39页 |
| 3.3 生长时间的影响 | 第39-40页 |
| 3.4 生长温度的影响 | 第40-41页 |
| 3.5 气流分配管的设置对薄膜均匀度的影响 | 第41-44页 |
| 3.6 电解法转移工艺优化 | 第44-48页 |
| 3.6.1 旋涂时间及溶液摄入量对涂覆效果的影响 | 第44-45页 |
| 3.6.2 旋涂时间及涂层厚度对分离效果的影响 | 第45-46页 |
| 3.6.3 电解电压对分离效果的影响 | 第46-47页 |
| 3.6.4 电解液对分离效果的影响 | 第47-48页 |
| 3.6.5 电解液浓度对分离效果的影响 | 第48页 |
| 3.7 最佳工艺参数下样品的表征 | 第48-51页 |
| 3.7.1 最佳沉积工艺下铜基石墨烯薄膜表征 | 第48-50页 |
| 3.7.2 最佳工艺下石墨烯薄膜质量表征 | 第50-51页 |
| 3.8 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 石墨烯薄膜在金属防护中的应用 | 第53-61页 |
| 4.1 氧化前后表面形貌 | 第53-57页 |
| 4.2 氧化前后表面的物相组成 | 第57-59页 |
| 4.3 氧化速率 | 第59-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 本课题主要结论 | 第61-62页 |
| 5.2 展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第69页 |
